气态源分子束外延生长Ge_xSi_(1-x)/Si异质结合金

刘学锋; 李建平; 孙殿照

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气态源分子束外延生长Ge_xSi_(1-x)/Si异质结合金

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采用气态源分子束外延法成功地生长了ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ异质结合金材料，所使用的气体分别是乙硅烷和锗烷。高能电子衍射被用于原位监控生长层的表面重构状态。在一定的生长温度下，ＧｅｘＳｉ１－ｘ合金组分ｘ取决于锗烷和乙硅烷的流量比。外延层的表面形貌与锗组分的大小、生长层的厚度及生长温度有关。结果表明，较大的锗组分和较高的生长温度利于由二维模式向三维模式转变的外延生长。

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来源
《稀有金属》 |1998年第1期|18-21|共4页
作者
刘学锋; 李建平; 孙殿照;
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作者单位

中国科学院半导体研究所材料中心;

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正文语种 chi
中图分类 TN304.105;
关键词
GexSi-x; 异质结合金; 气态源; 分子束外延生长;

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