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发展中的绝缘体上硅材料技术

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摘要

在高可靠、抗核加固IC和亚微米CMOSFET VLSI电路应用中,绝缘体上硅 (SOI)是一种很有前途的材料技术。本文对形成SOI的各种技术及其优缺点和目前状况以及未来前景作了评述。对国内的SOI研究作了简单的介绍。

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来源
《微电子学》 |1989年第5期|1-7|共7页
作者
蔡永才;
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作者单位

四川固体电路研究所;

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正文语种 chi
中图分类 TN304.055;
关键词
绝缘体上硅; 半导体材料; SOI技术;

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