PECVD制备富硅氮化硅薄膜的工艺条件及其性质的研究

张龙龙; 周炳卿; 张林睿; 高玉伟

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PECVD制备富硅氮化硅薄膜的工艺条件及其性质的研究

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摘要

采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)以SiH4和N2为反应气体,分别在射频功率、硅烷稀释度[SiH4/N2]、衬底温度为变量的情况下制备了富硅氮化硅薄膜材料,利用X射线衍射谱(XRD)、傅里叶变换红外谱(FTIR)、紫外-可见光吸收谱(UV-Vis)对薄膜材料进行了表征,并研究了薄膜材料的微结构和晶化状况、光学特性等。实验结果表明,所沉积薄膜都为富硅的非晶氮化硅材料,改变射频功率、硅烷稀释度和衬底温度可以控制氮化硅薄膜中N元素的含量、光学带隙的大小和薄膜的折射率,并制备出最适宜富硅氮化硅薄膜,为进一步退火析出硅量子点奠定了基础。

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来源
《硅酸盐通报》 |2014年第4期|757-763|共7页
作者
张龙龙; 周炳卿; 张林睿; 高玉伟;
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作者单位

内蒙古师范大学物理与电子信息学院、功能材料物理与化学自治区重点实验室;

呼和浩特010022;

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正文语种 chi
中图分类 TK514;
关键词
PECVD; 富硅氮化硅薄膜; 非晶结构; 光学带隙;

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