热丝CVD法制备a-Si_(1-x)C_x薄膜的光电性能研究

程彬; 沈鸿烈; 吴天如; 丁滔; 肖少文; 陆婷

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本文以硅烷、乙炔和氢气为气源,采用热丝CVD法制备了非晶碳化硅薄膜。通过FITR、紫外-可见光分光光度计、四探针仪、台阶仪和霍尔效应测试仪对薄膜的光学和电学性能进行了系统的研究。结果表明,随着乙炔气体流量的增加,薄膜中碳含量和薄膜光学带隙呈现逐渐递增的趋势,其中光学带隙由1.7 eV上升到2.1 eV。同时还发现B掺杂薄膜的空穴浓度随着B2H6与硅烷流量比的增大而显著增大,而霍尔迁移率的变化趋势则与空穴浓度的变化趋势相反,与二者对应的总体效果是薄膜的电阻率首先显著下降,然后缓慢下降至最小值1.94Ω.cm,此后电阻率略有上升。

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来源
《人工晶体学报》 |2011年第4期|882-886|共5页
作者
程彬; 沈鸿烈; 吴天如; 丁滔; 肖少文; 陆婷;
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作者单位

南京航空航天大学材料科学与技术学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜物理学;
关键词
热丝CVD; 非晶碳化硅; 光电性能;

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