PECVD法制备a-Si_(1-x)C_x∶H薄膜的结构及光学性能研究

张翼英; 杜丕一; 韩高荣; 翁文剑; 汪建勋

首页> 中文期刊> 《真空科学与技术学报》 >PECVD法制备a-Si_(1-x)C_x∶H薄膜的结构及光学性能研究

PECVD法制备a-Si_(1-x)C_x∶H薄膜的结构及光学性能研究

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

aSi1xCx∶H的禁带宽度能随着薄膜中碳和氢的含量的变化而发生改变。深入了解薄膜中的键合情况及其对薄膜光学带隙的影响尤为重要。本文采用PECVD法,以硅烷(SiH4)和甲烷(CH4)为反应气源,通过选用不同的沉积功率及不同的组成制备出aSi1xCx∶H薄膜,并采用红外光谱、喇曼光谱及紫外可见光谱等分析测试手段对薄膜中SiC键的形成及其对光学能隙的影响进行了研究分析。分析表明SiC键的形成几率及SiC键的形成能力随着C和Si的含量接近而显著增加,SiC键随着沉积功率的提高显著增加。研究得出,薄膜的光学能隙Eg受到aSi1xCx∶H薄膜中的键合情况及薄膜缺陷态的影响。Eg随着薄膜中SiC键含量的增加而变大,随着薄膜中的H含量的减少缺陷态的增加而减小。

著录项

来源
《真空科学与技术学报》 |2005年第3期|192-195|共5页
作者
张翼英; 杜丕一; 韩高荣; 翁文剑; 汪建勋;
展开▼
作者单位

浙江大学材料系硅材料国家重点实验室;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.055;
关键词
a-Si1-xCx:H薄膜; Si-C键; 光学带隙;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 热丝CVD法制备a-Si_(1-x)C_x薄膜的光电性能研究 [J] . 程彬 ,沈鸿烈 ,吴天如 . 人工晶体学报 . 2011,第4期
2. 低碳含量a-Si_(1-x)C_x∶H薄膜的化学键结构 [J] . 王燕 ,岳瑞峰 ,韩和相 . 半导体学报：英文版 . 2001,第5期
3. 两种不同气源制备的高氢含量aSi_(1-x)C_x∶H薄膜的微结构及其热稳定性研究 [J] . 刘玉学 ,刘益春 ,申德振 . 真空科学与技术 . 2001,第4期
4. RF-PECVD法制备a-Si1-x Cx:H薄膜的光学性能研究 [J] . 邱毅娇 ,李伟 ,吴茂阳 . 电子器件 . 2011,第001期
5. PECVD法制备硅基ZnO薄膜光学性能的研究 [J] . 王应民 ,杜楠 ,蔡莉 . 材料工程 . 2007,第011期
6. 脉冲辉光PECVD制备DLC薄膜的结构和性能研究 [C] . 楚信谱 ,苟伟 ,李剑锋 . TFC'07全国薄膜技术学术研讨会 . 2007
7. RF-PECVD和DBD-PECVD制备a-Si：H薄膜的性能研究及其比较 [A] . 陈萌炯 . 2006

PECVD法制备a-Si_(1-x)C_x∶H薄膜的结构及光学性能研究

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅