低碳含量a-Si_(1-x)C_x∶H薄膜的化学键结构

王燕; 岳瑞峰; 韩和相; 廖显伯; 王永谦; 刁宏伟; 孔光临

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利用两种不同激发波长进行 Ram an测量 ,研究了低碳含量 a- Si1 - x Cx∶ H (～ <2 0 at.% )薄膜的结构特征 .采用 6 47.1nm激发时 ,由于激发光能量接近于各样品的光学带隙 ,因而在样品中具有较大的穿透深度 ;而采用488nm激发时 ,激发光被样品表面强烈吸收 .探测深度的变化造成了两种激发下 Raman谱出现较大的差异 .实验结果表明样品体内存在硅团簇结构 ,样品的自由表面存在一层高浓度的缺陷层 .这两种空间的不均匀性造成了高能激发时 Raman谱的 TO模频率和半高宽比低能激发时有大的红移和展宽 .以上结果证明不同激发波长将造成Ram an测量结果的差异 .

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来源
《半导体学报》 |2001年第5期|599-603|共5页
作者
王燕; 岳瑞峰; 韩和相; 廖显伯; 王永谦; 刁宏伟; 孔光临;
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作者单位

清华大学微电子学研究所;

中国科学院半导体研究所超晶格和微结构国家重点实验室;

中国科学院半导体研究所表面物理国家重点实验室;

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正文语种 chi
中图分类薄膜物理学;
关键词
Raman测量; 化学键结构; a-Si-C:H薄膜;

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