掌桥科研
一站式科研服务平台
科技查新
收录引用
专题文献检索
外文数据库(机构版)
更多产品
首页
成为会员
我要充值
退出
我的积分:
中文会员
开通
中文文献批量获取
外文会员
开通
外文文献批量获取
我的订单
会员中心
我的包量
我的余额
登录/注册
文献导航
中文期刊
>
中文会议
>
中文学位
>
中国专利
>
外文期刊
>
外文会议
>
外文学位
>
外国专利
>
外文OA文献
>
外文科技报告
>
中文图书
>
外文图书
>
工业技术
基础科学
医药卫生
农业科学
教科文艺
经济财政
社会科学
哲学政法
其他
工业技术
基础科学
医药卫生
农业科学
教科文艺
经济财政
社会科学
哲学政法
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
马克思主义、列宁主义、毛泽东思想、邓小平理论
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
文化、科学、教育、体育
语言、文字
文学
艺术
历史、地理
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
生物科学
医药、卫生
农业科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
综合性图书
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
美国国防部AD报告
美国能源部DE报告
美国航空航天局NASA报告
美国商务部PB报告
外军国防科技报告
美国国防部
美国参联会主席指示
美国海军
美国空军
美国陆军
美国海军陆战队
美国国防技术信息中心(DTIC)
美军标
美国航空航天局(NASA)
战略与国际研究中心
美国国土安全数字图书馆
美国科学研究出版社
兰德公司
美国政府问责局
香港科技大学图书馆
美国海军研究生院图书馆
OALIB数据库
在线学术档案数据库
数字空间系统
剑桥大学机构知识库
欧洲核子研究中心机构库
美国密西根大学论文库
美国政府出版局(GPO)
加利福尼亚大学数字图书馆
美国国家学术出版社
美国国防大学出版社
美国能源部文献库
美国国防高级研究计划局
美国陆军协会
美国陆军研究实验室
英国空军
美国国家科学基金会
美国战略与国际研究中心-导弹威胁网
美国科学与国际安全研究所
法国国际关系战略研究院
法国国际关系研究所
国际宇航联合会
美国防务日报
国会研究处
美国海运司令部
北约
盟军快速反应部队
北约浅水行动卓越中心
北约盟军地面部队司令部
北约通信信息局
北约稳定政策卓越中心
美国国会研究服务处
美国国防预算办公室
美国陆军技术手册
一般OA
科技期刊论文
科技会议论文
图书
科技报告
科技专著
标准
其它
美国卫生研究院文献
分子生物学
神经科学
药学
外科
临床神经病学
肿瘤学
细胞生物学
遗传学
公共卫生&环境&职业病
应用微生物学
全科医学
免疫学
动物学
精神病学
兽医学
心血管
放射&核医学&医学影像学
儿科
医学进展
微生物学
护理学
生物学
牙科&口腔外科
毒理学
生理学
医院管理
妇产科学
病理学
生化技术
胃肠&肝脏病学
运动科学
心理学
营养学
血液学
泌尿科学&肾病学
生物医学工程
感染病
生物物理学
矫形
外周血管病
药物化学
皮肤病学
康复学
眼科学
行为科学
呼吸学
进化生物学
老年医学
耳鼻喉科学
发育生物学
寄生虫学
病毒学
医学实验室检查技术
生殖生物学
风湿病学
麻醉学
危重病护理
生物材料
移植
医学情报
其他学科
人类生活必需品
作业;运输
化学;冶金
纺织;造纸
固定建筑物
机械工程;照明;加热;武器;爆破
物理
电学
人类生活必需品
作业;运输
化学;冶金
纺织;造纸
固定建筑物
机械工程;照明;加热;武器;爆破
物理
电学
马克思主义、列宁主义、毛泽东思想、邓小平理论
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
文化、科学、教育、体育
语言、文字
文学
艺术
历史、地理
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
生物科学
医药、卫生
农业科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
综合性图书
主题
主题
题名
作者
关键词
摘要
高级搜索 >
外文期刊
外文会议
外文学位
外国专利
外文图书
外文OA文献
中文期刊
中文会议
中文学位
中国专利
中文图书
外文科技报告
清除
历史搜索
清空历史
首页
>
外文会议
>
化工、能源
>
Silicon carbide and related materials
Silicon carbide and related materials
召开年:
召开地:
出版时间:
-
会议文集:
-
会议论文
热门论文
全部论文
相关中文期刊
农药
应用化工
乙烯工业
合成技术及应用
化工催化剂及甲醇技术
涂料工业
电刷镀技术
建筑玻璃与工业玻璃
合成润滑材料
橡塑资源利用
更多>>
相关中文会议
2012冀苏鲁皖赣五省金属(冶金)学会第十六届焦化学术年会
中国石油和化工自动化第十一届年会
中国石油和化工勘察设计协会热工专委会、全国化工热工设计技术中心站2011年年会
2002年中国工程塑料加工应用技术研讨会
第三届中国氟橡胶氟塑料加工应用技术交流会
中国硅酸盐学会陶瓷分会三届四次理事会暨学术年会
第二届水泥X射线应用技术(培训)交流大会
中国无机盐工业协会过氧化物分会2010行业年会
第五届全国工业催化技术及应用年会
中国水泥协会水泥助磨剂分会第二次会员代表大会暨2011年水泥助磨剂年会
更多>>
相关外文会议
2002 ASME Pressure Vessels and Piping Conference, Aug 5-9, 2002, Vancouver, British Columbia, Canada
Asian Paint Industry Council(APIC) Meeting; 20040919-22; China World Hotel(CN)
The Industrial Protective Coatings Conference and Exhibit, Nov 11-14, 2001, Atlanta, Georgia
Lime: Building on the 100-year legacy of the ASTM Committee C07
Fifth international symposium on green chemistry in China(5th ISGCC)
World renewable engery congress;WREC 2004
Oil & gas maintenance technology conference & exhibition 2009
ASME Turbo Expo vol.3 pt.B; 20050606-09; Reno-Tahoe,NV(US)
Production operation symposium
Conference on Solid State Lighting and Solar Energy Technologies; 20071112-14; Beijing(CN)
更多>>
热门会议
Meeting of the internet engineering task force;IETF
日本建築学会;日本建築学会大会
日本建築学会(Architectural Institute of Japan);日本建築学会年度大会
日本建築学会学術講演会;日本建築学会
日本建築学会2010年度大会(北陸)
Korean Society of Noise & Vibration Control;Institute of Noise Control Engineering;International congress and exposition on noise control engineering;ASME Noise Control & Acoustics Division
土木学会;土木学会全国大会年次学術講演会
応用物理学会秋季学術講演会;応用物理学会
総合大会;電子情報通信学会
The 4th International Conference on Wireless Communications, Networking and Mobile Computing(第四届IEEE无线通信、网络技术及移动计算国际会议)论文集
更多>>
最新会议
2011 IEEE Cool Chips XIV
International workshop on Java technologies for real-time and embedded systems
Supercomputing '88. [Vol.1]. Proceedings.
RILEM Proceedings PRO 40; International RILEM Conference on the Use of Recycled Materials in Buildings and Structures vol.1; 20041108-11; Barcelona(ES)
International Workshop on Hybrid Metaheuristics(HM 2007); 20071008-09; Dortmund(DE)
The 57th ARFTG(Automatic RF Techniques Group) Conference, May 25, 2001, Phoenix, AZ
Real Time Systems Symposium, 1989., Proceedings.
Conference on Chemical and Biological Sensing V; 20040412-20040413; Orlando,FL; US
American Filtration and Separations Society conference
Combined structures congress;North American steel construction conference;NASCC
更多>>
全选(
0
)
清除
导出
1.
Deposition of SiC from a laser-ablated 6H-SiC target at room temperature
机译:
在室温下从激光烧蚀的6H-SiC靶中沉积SiC
作者:
M.A. Capano
;
P.T. Murray
;
D. Dempsey
;
J.T. Grant
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
2.
Progress and prospects for nonvolatile memory development in silicon carbide
机译:
碳化硅非易失性存储器开发的进展与前景
作者:
I. A. Cooper Jr
;
M. R. Melloch
;
W. Xie
;
J. W. Palmour
;
C. H. Carter Jr
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
3.
Beta SiC Schottky diode FET inverters grown on silicon
机译:
在硅上生长的Beta SiC肖特基二极管FET逆变器
作者:
G.L. Harris
;
K. Wongchotigul
;
H. Henry
;
K. Diogu
;
C. Taylor
;
M.G. Spencer
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
4.
A TiW high-temperature Ohmic contact to n-type 6H-SiC
机译:
TiW高温欧姆接触到n型6H-SiC
作者:
J. Crofton
;
J.R. Williams
;
M.J. Bozack
;
P.A. Barnes
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
5.
Electrical characterization of pohcrystalline SiC thin films deposited on fused silica substrates by laser ablation
机译:
激光烧蚀沉积在熔融石英基体上的多晶SiC薄膜的电特性
作者:
N. Abu-Ageel
;
M. Aslam
;
R. Ager
;
L. Rimai
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
6.
Metal contacts to n- and p-type 6H-SiC: electrical characteristics and high-temperature stability
机译:
n型和p型6H-SiC的金属触点:电特性和高温稳定性
作者:
J.B.Petit
;
P.G. Neudeck
;
C.S. Salupo
;
D.J. Larkin
;
J.A. Powell
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
7.
Strain and charge distribution in GaN/AlN/GaN semiconductor- insulator-semiconductor structure
机译:
GaN / AlN / GaN半导体-绝缘体-半导体结构中的应变和电荷分布
作者:
A. Bykhovski
;
B. Gelmont
;
M. Shur
;
A. Khan
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
8.
Chloride-based dry etching process in 6H-SiC
机译:
6H-SiC中基于氯的干法刻蚀工艺
作者:
E. Niemann
;
A. Boos
;
D. Leidich
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
9.
Growth of low-temperature cubic SiC on tilted and non-tilted (100)Si with 60 V breakdown Schottky barriers
机译:
具有60 V击穿肖特基势垒的倾斜和非倾斜(100)Si上生长低温立方SiC
作者:
C.W. Liu
;
J. C. Sturm
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
10.
Quantum efficiency of the photoelectrical effect and impact ionization in a-Si:H films in the uv spectral range
机译:
紫外光谱范围内a-Si:H薄膜中光电效应和碰撞电离的量子效率
作者:
M E Kumekov
;
S E Kumekov
;
E I Terukov
;
V A Vassilyev
;
V E Chelnokov
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
11.
6H-SiC junction field effect transistor for high-temperature applications
机译:
6H-SiC结型场效应晶体管,用于高温应用
作者:
K. Dohnke
;
R. Rupp
;
D. Peters
;
J. Voelkl
;
D. Stephani
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
12.
Preparation and properties of polycrystalline SiC/single-crystal Si heterojunction diodes
机译:
多晶SiC /单晶硅异质结二极管的制备和性能
作者:
Kiichi KAMMURA
;
Kazuoki SUGIURA
;
Yoshihiro NAGURA
;
Yoshiharu ONUMA
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
13.
Preparation of SiC films by plasma-assisted chemical vapor deposition using SiCl_4
机译:
使用SiCl_4的等离子体辅助化学气相沉积制备SiC薄膜
作者:
Kiichi KAMMURA
;
Hiroyuki TANAKA
;
Seiji MIYAZAKI
;
Toshio HOMMA
;
Sou YONEKUBO
;
Yoshiharu ONUMA
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
14.
Reduced temperature heteroepitaxial growth of 3C-SiC on Si(100) from silacyclobutane
机译:
硅环丁烷在Si(100)上降低3C-SiC的温度异质外延生长
作者:
A. J.Steckl
;
C.Yuan
;
J.P.Li
;
M. J. Loboda
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
15.
A novel hot-wall cvd reactor for SiC epitaxy
机译:
一种新型的SiC外延热壁CVD反应器
作者:
O Kordina
;
C Hallin
;
R C Glass
;
A Henry
;
E Janzen
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
16.
Parameter evaluation for silicon carbide thyristors
机译:
碳化硅晶闸管的参数评估
作者:
A N Andreev
;
M M Anikin
;
A M Strelchuk
;
V E Chelnokov
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
17.
Large area formation of 3C-SiC on Si substrates by atomic level epitaxy
机译:
通过原子级外延在硅衬底上大面积形成3C-SiC
作者:
H Nagasawa
;
Y Yamaguchi
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
18.
Epitaxial growth of 3C-SiC on α-SiC substrates by chemical vapor deposition
机译:
通过化学气相沉积法在α-SiC衬底上外延生长3C-SiC
作者:
Katsushi NISHINO
;
Tsunenobu KIMOTO
;
Hiroyuki MATSUNAMI
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
19.
Crystal growth of cubic SiC by the sublimation method
机译:
升华法生长立方SiC
作者:
Jinwei Yang
;
Shigehiro Nishino
;
J. Anthony Powell
;
Pirouz Pirouz
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
20.
Thermoluminescence and material characterization of 6H- and 4H-SiC single crystals
机译:
6H和4H-SiC单晶的热致发光和材料表征
作者:
Th. Stiasny
;
R. Helbig
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
21.
Process and device simulation for silicon carbide technology
机译:
碳化硅技术的过程和设备仿真
作者:
Michael Cameron
;
Andrew Rys
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
22.
The effect of defects in the substrate on the blue electroluminescence efficiency of epitaxial 6H-SiC p-n structures
机译:
衬底中的缺陷对外延6H-SiC p-n结构的蓝色电致发光效率的影响
作者:
Ya V Morozenko
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
23.
Photoluminescence study of interface dislocations in the silicon substrate after epitaxial growth of cubic silicon carbide
机译:
立方碳化硅外延生长后硅衬底界面位错的光致发光研究
作者:
A Henry
;
O Kordina
;
C Hallin
;
R C Glass
;
E Janzen
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
24.
Properties of annealed 3C-SiC cvd films
机译:
退火3C-SiC cvd薄膜的性能
作者:
S V Rendakova
;
I P Nikitina
;
A S Zubrilov
;
A V Lee-Fatou
;
A V Shchukarev
;
M V Zamoryanskaya
会议名称:
《》
|
1993年
25.
TEM study of low-temperature CVD silicon carbide films grown on on-axis 6H-SiC substrates
机译:
同轴6H-SiC衬底上生长的低温CVD碳化硅薄膜的TEM研究
作者:
K.Fekade
;
M.G.Spencer
;
K.Irvin
;
A.K. Ballal
;
D.Prasad Bcsabathina
;
L.G. Salamanca-Riba
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
26.
Identification of {2110} and {1010} faces of 4H, 6H and 15R polytypes of silicon carbide using the Laue method
机译:
使用劳厄方法鉴定4H,6H和15R多型碳化硅的{2110}和{1010}面
作者:
M. Yoganathan
;
W. Suttrop
;
R. P. Devaty
;
W. J. Choyke
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
27.
Effect of temperature annealing on the properties of a-Si_(0.5)C_(0.5):H films
机译:
温度退火对a-Si_(0.5)C_(0.5):H薄膜性能的影响
作者:
I N Trapeznikova
;
O I Konkov
;
V E Chelnokov
;
E I Terukov
;
M P Vlasenko
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
28.
Nanocrystalline particles of β-SiC
机译:
β-SiC纳米晶
作者:
J. R. Heath
;
S. M. Gates
;
C. A. Chess
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
29.
Characterization of 6H-silicon carbide MOS-structures
机译:
6H-碳化硅MOS结构的表征
作者:
P A Ivanov
;
L B Elfimov
;
A O Konstantinov
;
V N Panteleev
;
T P Samsonova
;
V E Chelnokov
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
30.
Lateral and vertical p-type 6H-SiC photoconductive switch response
机译:
横向和纵向p型6H-SiC光电导开关响应
作者:
S. E. Saddow
;
P. S. Cho
;
J. Goldhar
;
F. B. McLean
;
J. W. Palmour
;
C. H. Leet
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
31.
Deposition and characterization of Schottky and Ohmic contacts on n-type alpha (6H)SiC (0001)
机译:
n型alpha(6H)SiC(0001)上肖特基和欧姆接触的沉积和表征
作者:
L.M. Porter
;
R.F. Davis
;
J.S. Bow
;
M.J. Kim
;
R.W. Carpenter
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
32.
Photoelectrochemical etching of n-type 6H-SiC
机译:
n型6H-SiC的光电化学蚀刻
作者:
J. S. Shor
;
R. S. Okojie
;
A. D. Kurtz
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
33.
Highly effective ion-implanted green 6H-SiC Leds
机译:
高效离子注入绿色6H-SiC LED
作者:
A V Suvorov
;
V N Makarov
;
D A Plotkin
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
34.
Junction field-effect transistor based on 4H-silicon carbide
机译:
基于4H-碳化硅的结型场效应晶体管
作者:
P A Ivanov
;
N S Savkina
;
T P Samsonova
;
V N Panteleev
;
V E Chelnokov
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
35.
High-temperature gas sensors based on metal oxide silicon carbide (MOSIC) devices
机译:
基于金属氧化物碳化硅(MOSIC)器件的高温气体传感器
作者:
A Spetz
;
A Arbab
;
I Lundstroem
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
36.
Hall effect and CV measurements on epitaxial 6H- and 4H-SiC
机译:
外延6H-和4H-SiC的霍尔效应和CV测量
作者:
W J Schaffer
;
H S Kong
;
G H Negley
;
J W Palmour
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
37.
Current transport across a Schottky barrier in a SiC mesfet for high-temperature operation
机译:
电流通过SiC MOSFET中的肖特基势垒传输,用于高温操作
作者:
M. W. Shin
;
G. L. Bilbro
;
R. J. Trew
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
38.
Temperature dependence of avalanche breakdown voltage of pn-junctions in 6H-SiC at high current density
机译:
高电流密度下6H-SiC中pn结雪崩击穿电压的温度依赖性
作者:
K V Vassilevski
;
A V Zorenko
;
V V Novozhilov
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
39.
Investigation of defects in epitaxial 3C-SiC, 4H-SiC and 6H-SiC films grown on SiC substrates
机译:
研究在SiC衬底上生长的外延3C-SiC,4H-SiC和6H-SiC膜中的缺陷
作者:
J A Powell
;
P G Neudeck
;
D J Larkin
;
J W Yang
;
P Pirouz
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
40.
Investigation of structural defects in 6H-SiC wafers
机译:
6H-SiC晶片的结构缺陷研究
作者:
R.C. Glass
;
C.I. Harris
;
V.F. Tsvetkov
;
P.F. Fewster
;
J.E. Sundgren
;
E. Janzen
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
41.
Hall effect and infrared absorption measurements on nitrogen donors in 15R-SiC
机译:
15R-SiC中氮供体的霍尔效应和红外吸收测量
作者:
Th. Troffer
;
W. Goetz
;
A. Schoener
;
W.Suttrop
;
G. Pensl
;
R.P. Devaty
;
W.J. Choyke
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
42.
UV-reflectivity of SiC polytypes: comparison between theory and experiment
机译:
SiC多晶型的紫外线反射率:理论与实验的比较
作者:
W. Suttrop
;
M. Yoganathan
;
R. P. Devaty
;
W. J. Choyke
;
J. A. Edmond
;
J. A. Powell
;
W. R. L. Lambrecht
;
B. Segall
;
M. Alouani
会议名称:
《》
|
1993年
43.
Ab initio calculations for bulk SiC and the clean 3C SiC(110) 1×1 surface: ground-state properties, electronic and atomic structure
机译:
从头算计算块状SiC和干净的3C SiC(110)1×1表面:基态性质,电子和原子结构
作者:
B Wenzien
;
P Kaeckell
;
F Bechstedt
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
44.
Characterization of the microstructure and optical properties of porous silicon carbide
机译:
多孔碳化硅的微观结构和光学性质的表征
作者:
J.S. Shor
;
L. Bemis
;
A.D. Kurtz
;
M. Macmillan
;
W.J. Choyke
;
I. Grimberg
;
B.Z. Weiss
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
45.
Carrier concentration dependence of the thermal conductivity of silicon carbide
机译:
碳化硅的导热系数与载流子浓度的关系
作者:
D Morelli
;
J Heremans
;
C Beetz
;
W S Woo
;
G Harris
;
C Taylor
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
46.
Dynamic characterization of mechanical properties of 3C epitaxial SiC
机译:
3C外延SiC力学性能的动态表征
作者:
K. Fekade
;
Q.M.Su
;
M. Spencer
;
Manfred Wuttig
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
47.
Modelling of step propagation on 6H-SiC (0001) surface
机译:
在6H-SiC(0001)表面上逐步传播的建模
作者:
P Heuell
;
M A Kulakov
;
B Bullemer
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
48.
Optically detected EPR and MCDA temperature dependence of a vanadium impurity in 6H-silicon carbide
机译:
光学检测6H碳化硅中钒杂质的EPR和MCDA温度依赖性
作者:
J Reinke
;
H Weihrich
;
S Greulich-Weber
;
J- M Spaeth
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
49.
Structure and electrical properties of implantation-doped pn junctions in SiC
机译:
SiC中掺杂pn结的结构和电性能
作者:
E V Kalinina
;
G F Kholujanov
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
50.
Reactive ion etching of 6H-SiC in CHF_3 plasma
机译:
CHF_3等离子体中6H-SiC的反应离子刻蚀
作者:
P. H. Yih
;
A. J. Steckl
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
51.
Electrical properties of thermally oxidized silicon carbide semiconductor
机译:
热氧化碳化硅半导体的电性能
作者:
Nitya N. Singh
;
Andrew Rys
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
52.
Electrical transport properties of monocrystalline cubic SiC/Si heterojunctions
机译:
单晶立方SiC / Si异质结的电输运性质
作者:
A S Zubrilov
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
53.
The defect microstructure of silicon carbide single crystals
机译:
碳化硅单晶的缺陷微观结构
作者:
David Black
;
Larry Robins
;
Nik Buchan
;
Dave Henshall
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
54.
Point defects in silicon carbide
机译:
碳化硅中的点缺陷
作者:
Yu. A.Vodakov
;
E.N.Mokhov
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
55.
Electron cyclotron resonance in cubic SiC
机译:
立方SiC中的电子回旋共振
作者:
R. Kaplan
;
W.J. Moore
;
J. A. Freitas Jr
;
Yu. M. Altaiskii
;
V. L. Zuev
;
L. M. Ivanova
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
56.
EPR and ENDOR investigations of a phosphorus defect in 6H-siIicon carbide
机译:
EPR和ENDOR研究6H-碳化硅中磷缺陷
作者:
E N Kalabukhova
;
S N Lukin
;
E N Mokhov
;
M Feege
;
S Greulich-Weber
;
J- M Spaeth
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
57.
Growth of solid solutions of aluminum nitride and silicon carbide in low-pressure vertical reactor mocvd
机译:
低压立式反应釜中氮化铝和碳化硅固溶体的生长
作者:
K. Wongchotigul
;
M.G. Spencer
;
N. Chen
;
D. Zhang
;
K. Fekade
;
A. Gomez
;
C. Thomas
;
V. Dimitriev
;
K. Irvine
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
58.
Metalorganic chemical vapor deposition of (AlN)_x(SiC)_(1-x)alloy films
机译:
(AlN)_x(SiC)_(1-x)合金膜的金属有机化学气相沉积
作者:
J. H. Edgar
;
Z. J. Yu
;
B. S. Sywe
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
59.
Cathodoluminescence and FTIR reflectance of thin AlN and GaN films
机译:
AlN和GaN薄膜的阴极发光和FTIR反射率
作者:
M. F. MacMillan
;
R. P. Devaty
;
W. J. Choyke
;
A. Khan
;
M. E. Lin
;
H. Morkoc
;
W. A. Bryden
;
T. J. Kistenmacher
;
S. Nakamura
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
60.
Vibrational properties associated with isolated defects in cubic silicon carbide
机译:
立方碳化硅中与孤立缺陷相关的振动特性
作者:
D. N. Talwar
;
Z.C Feng
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
61.
Redistribution of aluminum during thermal oxidation of 6H silicon carbide
机译:
6H碳化硅热氧化过程中铝的重新分布
作者:
Carl-Mikael Zetterling
;
Mikael OEstling
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
62.
Growth of epitaxial GaN thin films on AlN buffered Si(111) by reactive sputtering
机译:
通过反应溅射在AlN缓冲的Si(111)上生长外延GaN薄膜
作者:
W. J. Meug
;
J. Heremans
;
Y. T. Cheng
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
63.
Optical properties and structure of RF magnetron sputtering a-Si_(1-x)C_x:H films
机译:
射频磁控溅射a-Si_(1-x)C_x:H薄膜的光学性质和结构
作者:
V Kh Kudoyarova
;
D Dimova
;
E I Terukov
;
V E Chelnokov
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
64.
Heteroepitaxial growth of SiC on AlN by chemical vapor deposition
机译:
化学气相沉积在AlN上异质外延生长SiC
作者:
V.A. Dmitriev
;
K.G. Irvine
;
M.G. Spencer
;
I.P. Nikitina
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
65.
Al_xGa_(1-x)N grown on (00·1) and (01· 2) sapphire
机译:
在(00·1)和(01·2)蓝宝石上生长的Al_xGa_(1-x)N
作者:
C. J. Sun
;
P. Kung
;
A. Saxler
;
H. Ohsato
;
M. Razeghi
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
66.
Effect of growth temperature on GaN films grown on GaN buffer layers
机译:
生长温度对在GaN缓冲层上生长的GaN膜的影响
作者:
L B Rowland
;
K Doverspike
;
A Giordana
;
M Fatemi
;
D K Gaskill
;
M Skowronski
;
J A Freitas Jr
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
67.
Optical second-harmonic investigations of GaN thin films on sapphire
机译:
蓝宝石上GaN薄膜的光学二次谐波研究
作者:
Joseph Miragliotta
;
Wayne A. Bryden
;
Thomas J. Kistenmacher
;
Dennis K. Wickenden
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
68.
Growth of Ge_(1-x)C_y alloys by molecular beam epitaxy
机译:
Ge_(1-x)C_y合金的分子束外延生长
作者:
J. Kolodzey
;
S. Zhang
;
P. ONeil
;
E. Hall
;
R. McAnnally
;
C.P. Swann
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
69.
Spatially resolved electron beam induced transient spectroscopy for deep centers in wide bandgap semiconductors
机译:
用于宽带隙半导体深中心的空间分辨电子束感应瞬态光谱
作者:
K. H. Schoenbach
;
T. Tessnow
;
R. P. Joshi
;
R. P. Brinkmann
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
70.
GaN and AlN OMVPE growth using phenylhydrazine
机译:
使用苯肼生长GaN和AlN OMVPE
作者:
C.H. Hong
;
D. Pavlidis
;
K. Hong
;
K. Wang
;
J. Singh
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
71.
Deposition of highly resistive, undoped and p-type, magnesium-doped gallium nitride films by modified gas source molecular beam epitaxy
机译:
修饰气体源分子束外延沉积高电阻,无掺杂和p型掺杂镁的氮化镓膜
作者:
Cheng Wang
;
K.S. Ailey
;
K.L. More
;
Robert F. Davis
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
72.
Effect of metal work function on the formation of W and Mo contacts to 3C-SiC
机译:
金属功函数对3C-SiC W和Mo接触形成的影响
作者:
C. Jacob
;
S. Nishino
;
M. Mehregany
;
J. A. Powell
;
P. Pirouz
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
73.
Growth of pseudomorphic heterostmctures and solid solutions in the AlN-SiC system by plasma-assisted, gas-source molecular beam epitaxy
机译:
等离子体辅助气源分子束外延法在AlN-SiC系统中生长假晶异质结构和固溶体
作者:
R. S. Kern
;
S. Tanaka
;
R. F. Davis
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
74.
Silicon carbide precipitation in silicon. An approach to nanoparticle fabrication?
机译:
碳化硅在硅中沉淀。纳米粒子制造的方法?
作者:
A.R.Powell
;
F.K.LeGoues
;
FJ.Guarin
;
S.S.Iyer
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
75.
The growth and characterization of silicon-doped GaN
机译:
硅掺杂GaN的生长与表征
作者:
D K Wickenden
;
W A Bryden
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
76.
Control of the solid AlN/SiC composition by the growth of multi-layered structures
机译:
通过多层结构的生长来控制固体AlN / SiC成分
作者:
Z. J. Yu
;
B. S. Sywe
;
J. H. Edgar
;
S. Burkhard
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
77.
Observation of doping dependence of epitaxially grown 6H-SiC for various CVD growth directions
机译:
外延生长的6H-SiC对不同CVD生长方向的掺杂依赖性的观察
作者:
L. L. Clemen
;
R. P. Devaty
;
M. F. Macmillan
;
W. J. Choyke
;
A. A. Burk Jr
;
D. L. Barrett
;
H. M. Hobgood
;
D. J. Larkin
;
J. A. Powell
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
78.
Large diameter 6H-SiC crystal growth for microwave device applications
机译:
大直径6H-SiC晶体生长在微波设备中的应用
作者:
H. M. Hobgood
;
J. P. McHugh
;
J. Grcggi
;
R. H. Hopkins
;
M. Skowronski
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
79.
Sublimation growth and characterization of SiC single crystalline ingots on faces perpendicular to the (0001) basal plane
机译:
垂直于(0001)基面的面上SiC单晶锭的升华生长和表征
作者:
Jun Takahashi
;
Masatoshi Kanaya
;
Taizo Hoshino
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
80.
ESR studies of defects in electron irradiated p-type 3C-SiC epilayers
机译:
电子辐照p型3C-SiC外延层中缺陷的ESR研究
作者:
Hisayoshi Itoh
;
Masahito Yoshikawa
;
Isamu Nashiyama
;
Shunji Misawa
;
Hajime Okumurat
;
Sadafumi Yoshida
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
81.
Electrical characterization of (6H) SiC MOS capacitors at high temperature
机译:
高温下(6H)SiC MOS电容器的电气特性
作者:
T.Ouisse
;
N.Becourt
;
F.Templier
;
J.Vuillod
;
S.Cristoloveanu
;
T.Billon
;
J.L.Ponthenier
;
C.Jaussaud
;
F.Mondon
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
82.
Crystal growth of SiC on AIN/sapphire by cvd method
机译:
通过CVD方法在AIN /蓝宝石上生长SiC晶体
作者:
S. Nishino
;
K. Takahashi
;
H. Tanaka
;
J. Saraie
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
83.
Step-controlled epitaxy of 4H-SiC and its physical properties
机译:
4H-SiC的阶梯控制外延及其物理性质
作者:
Akira ITOH
;
Hironobu AKITA
;
Tsunenobu KIMOTO
;
Hiroyuki MATSUNAMI
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
84.
2000 V 6H-SiC pn junction diodes
机译:
2000 V 6H-SiC pn结二极管
作者:
P G Neudeck
;
D J Larkin
;
C S Salupo
;
J A Powell
;
L G Matus
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
85.
How far are we from silicon carbide IMPATT diodes for 100-200 GHz?
机译:
我们距100-200 GHz的碳化硅IMPATT二极管有多远?
作者:
K V Vassilevski
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
86.
Issues associated with large-area SiC diodes with avalanche breakdown
机译:
与雪崩击穿的大面积SiC二极管相关的问题
作者:
C. Fazi
;
M. Dudley
;
S. Wang
;
M. Ghezzo
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
87.
Silicon carbide microwave fets
机译:
碳化硅微波脚
作者:
J. W. Palmour
;
C. E. Weitzel
;
K. Nordquistt
;
C. H. Carter Jr
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
88.
Normally off 6H-SiC JFET and its high-temperature operation
机译:
常关6H-SiC JFET及其高温运行
作者:
R. Rupp
;
K. Dohnke
;
J. Voelkl
;
D. Stephani
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
89.
Electrical characterization of n-channel, 6H-SiC JFETS as a function of temperature
机译:
n沟道6H-SiC JFETS的电学特性随温度的变化
作者:
F B McLean
;
C W Tipton
;
J M McGarrity
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
90.
Thermodynamic analysis of chemical vapour deposition of SiC-AlN solid solutions
机译:
SiC-AlN固溶体化学气相沉积的热力学分析
作者:
A O Lebedev
;
Yu V Melnik
;
A M Tsaregorodtsev
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
91.
XPS study of SiN_x thin film formation on Si(100) by reaction with 100-1000 eV N_2~+ ion beams
机译:
XPS研究与100-1000 eV N_2〜+离子束反应在Si(100)上形成SiN_x薄膜
作者:
I Kusunoki
;
Y Igari
;
K Ohtsuka
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
92.
Graphitization of silicon carbide implanted by aluminium at high temperature of target
机译:
靶材高温下铝注入碳化硅的石墨化
作者:
V N Makarov
;
D A Plotkin
;
A V Suvorov
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
93.
Electrolytic etching of silicon carbide
机译:
碳化硅的电解蚀刻
作者:
R. A. Stein
;
R. Rupp
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
94.
Microstructure of transparent silicon carbide from CVD
机译:
CVD法制得的透明碳化硅的微观结构
作者:
Y Kim
;
A Zangvil
;
J S Goela
;
R L Taylor
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
95.
3C-monocrystalline SiC reactive ion etching using SF_6/O_2
机译:
使用SF_6 / O_2的3C单晶SiC反应离子刻蚀
作者:
Dev Alok
;
Mohit Bhatnagar
;
Hiroshi Nakanishi
;
B. J. Baliga
;
Yu Chang
;
R. F. Davis
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
96.
Growth model for step-controlled epitaxy of SiC: surface kinetics of adatoms on vicinal 6H-SiC{0001} faces
机译:
SiC阶梯控制外延生长模型:相邻6H-SiC {0001}面上吸附原子的表面动力学
作者:
Tsunenobu KIMOTO
;
Hiroyuki MATSUNAMI
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
97.
Epitaxial layers of n- and p-type 6H-SiC grown by the sublimation 'sandwich' method in an electron heated cell
机译:
在电子加热电池中通过升华“三明治”法生长的n型和p型6H-SiC外延层
作者:
M M Anikin
;
A A Lehedev
;
M G Rastegaeva
;
A M Strelchuk
;
A L Syrkin
;
V E Chelnokov
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
98.
The method for formation of a clean silicon carbide surface in high vacuum
机译:
在高真空下形成清洁的碳化硅表面的方法
作者:
A N Andreev
;
M M Anikin
;
A L Syrkin
;
V E Chelnokov
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
99.
Characterization of monolithic n-type 6H-SiC piezoresistors
机译:
单片n型6H-SiC压敏电阻的特性
作者:
Leala Bemis
;
Joseph S. Shor
;
Anthony D. Kurtz
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
100.
Preparation of polycrystalline SiC thin films by a reactive sputtering process
机译:
反应溅射法制备SiC多晶薄膜
作者:
Yoshihani ONUMA
;
Ryoichi OKADA
;
Hideki ONO
;
Kiichi KAMTMURA
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
意见反馈
回到顶部
回到首页