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韩健; 陈斌; 顾悦吉;
杭州士兰集昕微电子有限公司;
浙江杭州310018;
IEGT; 沟槽; N型阻挡层; 饱和压降; 栅氧化层;
机译:基于浮栅电压轨迹的2D存储器件设计材料和器件结构设计
机译:具有基于HfO_2的铁电栅叠层的无结栅全栅纳米线负电容FET的器件设计指南
机译:一种新型的堆叠结构,可改善具有未掺杂a-Si /重掺杂多晶硅层的W多晶硅化物栅MOS器件的退化
机译:降低EMI噪声的IEGT设计标准注入增强栅晶体管
机译:纳米级双栅CMOS器件和技术的建模和优化设计。
机译:使用聚合物/ ZnO纳米复合材料的纳米浮栅的高性能透明晶体管存储器件
机译:材料复合材料的加速插入。复合材料结构设计的一种新方法
机译:具有隔离后栅的结构和设计结构,用于完全耗尽的SOI器件
机译:形成半导体器件的栅电极的方法,用于半导体器件的栅电极结构以及对应的半导体器件结构
机译:一种用于集成电路的一次性可编程存储器件,包括:形成在有源区和隔离层上的浮栅;形成在浮栅上的栅间电介质层;以及形成在栅间电介质层上的控制栅
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