ULSI多层互连中W-CMP速率研究

张进; 刘玉岭; 申晓宁; 张伟; 苏艳勤

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ULSI多层互连中W-CMP速率研究

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随着IC制造技术进入到亚深微米时代,化学机械抛光(CMP)工艺成为ULSI多层布线的关键技术之一。分析了W-CMP的机理,抛光液对W材料表面具有化学腐蚀和机械研磨的双重作用,对抛光速率有着重要的影响。在分析了抛光液中各组分的作用基础上,重点研究了专用的氧化剂、磨料、pH值调节剂和抛光液流量对CMP速率的影响,优化配制了高速率、高平整的碱性W抛光液。实验证明,抛光液流量为150mL/min,V(硅溶胶):V(水)=1:1,有机碱为5mL/L,活性剂为5mL/L,H2O2质量浓度为20mL/L时,能够获得较高的抛光速率,并实现了全局平坦化。最后对W-CMP中存在的问题和发展趋势进行了分析和展望。

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来源
《半导体技术》 |2009年第8期|737-740|共4页
作者
张进; 刘玉岭; 申晓宁; 张伟; 苏艳勤;
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作者单位

河北工业大学微电子技术与材料研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类引线技术;表面处理;
关键词
集成电路互连; 化学机械抛光; 钨插塞; 抛光液; 抛光速率;

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