DCIV技术提取辐照前后PDSOI器件背栅界面态密度

王芳芳; 曾传滨; 李晓静; 高林春; 罗家俊; 韩郑生

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直流电流电压(DCIV)技术受应用于智能剥离技术制造的PDSOI中硅/二氧化硅界面质量的研究.本文通过将样品进行钴60伽马射线辐照,用以监测PDSOI器件背沟道界面在总剂量辐照前后的变化情况.本文给出了完整的测试原理、实验流程和结果分析,不仅提取了辐照前后PDSOI器件的背界面陷阱密度以及它所在的等效能级,而且得到了界面陷阱能级密度在硅禁带中随能级变化的U型分布图(以禁带中央附近为主),为后续PDSOI器件的抗辐照加固提供了参考.

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来源
《微电子学与计算机》 |2018年第7期|92-96|共5页
作者
王芳芳; 曾传滨; 李晓静; 高林春; 罗家俊; 韩郑生;
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作者单位

中国科学院微电子研究所;

中国科学院大学;

中国科学院硅器件技术重点实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
关键词
直流电流电压方法; PDSOI器件; 总剂量效应; 背沟道; 界面态; 钴60伽马射线;

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