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1.
Strain in semiconductor structures and devices
机译:
半导体结构和器件中的应变
作者:
David J. Dunstan
;
Univ. of Surrey
;
Guildford
;
Surrey
;
United Kingdom
;
Alfred R. Adams
;
Univ. of Surrey
;
Guildford
;
Surrey
;
United Kingdom.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
2.
Spatial hole-burning effects in distributed-feedback semiconductor lasers
机译:
分布式反馈半导体激光器中的空间烧孔效应
作者:
B.Borchert
;
Siemens AG
;
Munich
;
Federal Republic of Germany.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
3.
Study on flash-evaporated tin selenide films
机译:
闪蒸硒化锡薄膜的研究
作者:
Taminder Singh
;
Guru Nanak Dev Univ.
;
Amritsar
;
India
;
Surinder Kaur
;
Guru Nanak Dev Univ.
;
Amritsar
;
India
;
R.K. Bedi
;
Guru Nanak Dev Univ.
;
Amritsar
;
India.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
4.
Room temperature hydrogenation studies on silicon
机译:
硅上的室温氢化研究
作者:
P.C. Srivastava
;
Banaras Hindu Univ.
;
Varanasi
;
India
;
D.N. Tripathi
;
Banaras Hindu Univ.
;
Varanasi
;
India
;
S.Chandra
;
Banaras Hindu Univ.
;
Varanasi
;
India.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
5.
Photonic device applications of quantum-well structures: role of particlescattering on device performance,
机译:
量子阱结构的光子器件应用:粒子散射对器件性能的作用,
作者:
P.K. Basu
;
Univ. of Calcutta
;
Calcutta
;
India.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
6.
Preparation and characterization of pulse-plated CdSe films
机译:
脉冲镀CdSe膜的制备与表征
作者:
K.R. Murali
;
Central Electrochemical Research Institute
;
Karaikudi
;
Tamilnadu
;
India
;
V.Subramanian
;
Central Electrochemical Research Institute
;
Karaikudi
;
Tamilnadu
;
India
;
N.Rangarajan
;
Central Electrochemical Research Institute
;
Karaikudi
;
Tamilnadu
;
I
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
7.
Polarizabilities in the study of optical properties of semiconductors
机译:
半导体光学特性研究中的极化率
作者:
V.Ramamurthy
;
Sri Krishnadevaraya Univ.
;
Hyderabad
;
India.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
8.
Properties of 35-GHz InP DDR
机译:
35 GHz InP DDR的属性
作者:
S.P. Pati
;
Sambalpur Univ.
;
Sambalpur
;
Orissa
;
India
;
J.P. Banerjee
;
Univ. of Calcutta
;
Calcutta
;
India
;
S.K. Roy
;
Univ. of Calcutta
;
Calcutta
;
India.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
9.
Postbreakdown behaviour of metal-oxide-semiconductor diodes
机译:
金属氧化物半导体二极管的击穿后行为
作者:
K.S. Gurumurthy
;
U.V.C.E.
;
Bangalore-
;
India
;
K.Ramkumar
;
Indian Institute of Science
;
Bangalore
;
Karnataka
;
India
;
M.Satyam
;
Indian Institute of Science
;
Bangalore
;
Karnataka
;
India.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
10.
Nonexponential transition rates from deep levels
机译:
从深层次的非指数过渡率
作者:
Andrew K. Jonscher
;
Univ. of London
;
Engham
;
Surrey
;
United Kingdom.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
11.
Microprocessor-based PID controller for low-temperature studies
机译:
基于微处理器的PID控制器用于低温研究
作者:
B.P. Reddy
;
Sri Venkateswara Univ.
;
Tirupathi
;
India
;
S.V. Pandu Rangaiah
;
SRI Venkateswara Univ.
;
Tirupathi
;
India.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
12.
Investigations on surface passivated CdS and Cds:As-based photoelectrochemical cells
机译:
表面钝化CdS和Cds:As基光电化学电池的研究
作者:
L.P. Deshmukh
;
Shivaji Univ.
;
Solapur
;
India
;
D.S. Hulle
;
Shivaji Univ.
;
Solapur
;
India
;
P.P. Hankare
;
Shivaji Univ.
;
Solapur
;
India
;
A.H. Manikshete
;
Shivaji Univ.
;
Solapur
;
India.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
13.
Hydrogenation effects on Ni-Si(111) Schottky diode characteristics
机译:
加氢对Ni / n-Si(111)肖特基二极管特性的影响
作者:
P.P. Sahay
;
Banaras Hindu Univ.
;
Varanasi
;
India
;
M.Shamsuddin
;
Banaras Hindu Univ.
;
Varanasi
;
India
;
R.S. Srivastava
;
Banaras Hindu Univ.
;
Varanasi
;
India.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
14.
Growth and XPS depth profiling of thermal oxides on polycrystalline GaAs thin films
机译:
多晶GaAs薄膜上热氧化物的生长和XPS深度分析
作者:
S.S. Avadhani
;
Indian Institute of Technology
;
Madras
;
India
;
S.K. Viswanathan
;
Indian Institute of Technology
;
Madras
;
India
;
B.S. Gopalam
;
Indian Institute of Technology
;
Madras
;
India.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
15.
Zn3P2 as a material for optoelectronics devices
机译:
Zn3P2作为光电子器件的材料
作者:
Jan Misiewicz
;
Technical Univ. of Wroclaw
;
Wroclaw
;
Poland
;
Jan Szatkowski
;
Technical Univ. of Wroclaw
;
Wroclaw
;
Poland
;
N.Mirowska
;
Technical Univ. of Wroclaw
;
Wroclaw
;
Poland
;
Zbigniew Gumienny
;
Technical Univ. of Wroclaw
;
Wroclaw
;
Poland
;
E.Placzek-Pop
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
16.
Vapour phase growth and characterization of II-VI mixed crystals
机译:
气相生长和II-VI混合晶体的表征
作者:
D.R. Reddy
;
Sri Venkateswara Univ.
;
Tirupati
;
India
;
B.K. Reddy
;
Sri Venkateswara Univ.
;
Tirupati
;
India.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
17.
Thermal analysis of (ZnTe)x(CdSe)1-x crystals
机译:
(ZnTe)x(CdSe)1-x晶体的热分析
作者:
V.K. M. Rani
;
Sri Venkateswara Univ.
;
Tirupati
;
India
;
R.P. Vijaya Lakshmi
;
Sri Venkateswara Univ.
;
Tirupati
;
India
;
D.R. Reddy
;
Sri Venkateswara Univ.
;
Tirupati
;
India
;
B.K. Reddy
;
Sri Venkateswara Univ.
;
Tirupati
;
India.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
18.
Electrical and optical properties of pure and silver-doped zinc telluride films
机译:
纯银和掺杂银的碲化锌薄膜的电学和光学性质
作者:
N.U. Reddy
;
Sri Venkateswara Univ.
;
Tirupati
;
India
;
S.Uthanna
;
Sri Venkateswara Univ.
;
Tirupati
;
India
;
P.J. Reddy
;
Sri Venkateswara Univ.
;
Tirupati
;
India.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
19.
Electrical and optical properties of sprayed indium tin oxide films
机译:
喷涂铟锡氧化物薄膜的电学和光学性质
作者:
V.Vasu
;
Indian Institute of Technology
;
Madras
;
India
;
A.Subrahmanyam
;
Indian Institute of Technology
;
Madras
;
India.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
20.
Electrical resistance variation in Se(10)Sb(10)Te(80) ternary semiconductor thin films
机译:
Se(10)Sb(10)Te(80)三元半导体薄膜中的电阻变化
作者:
V.D. Das
;
Indian Institute of Technology
;
Madras
;
India
;
S.Aruna
;
Madras Univ.
;
Madras
;
India
;
K.S. Raju
;
Madras Univ.
;
Madras
;
India.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
21.
Electrical properties of indium antimony films
机译:
铟锑薄膜的电性能
作者:
Surinder Kaur
;
Guru Nanak Dev Univ.
;
Amritsar
;
India
;
Taminder Singh
;
Guru Nanak Dev Univ.
;
Amritsar
;
India
;
R.K. Bedi
;
Guru Nanak Dev Univ.
;
Amritsar
;
India.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
22.
Effect of reversal of double-implantation schedule of boron in mercury cadmium telluride
机译:
逆转碲化镉镉中硼的两次注入时间表的影响
作者:
Rakesh Kumar
;
Solid State Physics Lab.
;
New Delhi
;
India
;
M.B. Dutt
;
Solid State Physics Lab.
;
New Delhi
;
India
;
R.Nath
;
Solid State Physics Lab.
;
New Delhi
;
India
;
V.Gopal
;
Solid State Physics Lab.
;
Delhi
;
India
;
Y.P. Khosla
;
Solid State Physics Lab.
;
Ne
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
23.
Effect of carrier diffusion on the breakdown characteristics of avalanche diodes
机译:
载流子扩散对雪崩二极管击穿特性的影响
作者:
J.P. Banerjee
;
Univ. of Calcutta
;
Calcutta
;
India
;
R.Mukherjee
;
T.D.B. College
;
Raniganj
;
W.B.
;
India
;
M.Mitra
;
Univ. of Calcutta
;
Calcutta
;
India
;
S.K. Roy
;
Univ. of Calcutta
;
Calcutta
;
India.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
24.
Development and characterization of device grade thin films of compound semiconductors
机译:
化合物半导体器件级薄膜的开发与表征
作者:
P.C. Mathur
;
Univ. of Delhi
;
Delhi
;
India.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
25.
Dielectric behaviour of (ZnTe)x(CdSe)1-x single crystals
机译:
(ZnTe)x(CdSe)1-x单晶的介电行为
作者:
V.K. M. Rani
;
Sri Venkateswara Univ.
;
Tirupati
;
India
;
R.P. Vijaya Lakshmi
;
Sri Venkateswara Univ.
;
Tirupati
;
India
;
D.R. Reddy
;
Sri Venkateswara Univ.
;
Tirupati
;
India
;
B.K. Reddy
;
Sri Venkateswara Univ.
;
Tirupati
;
India.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
26.
Concentration dependence of diffusivity in polysilicon
机译:
多晶硅中扩散率的浓度依赖性
作者:
M.R. Murti
;
Indian Institute of Technology
;
Madras
;
India
;
K.V. Reddy
;
Indian Institute of Technology
;
Madras
;
India.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
27.
Angle-resolved XPS studies of thermal oxides on polycrystalline GaAs thin films
机译:
多晶GaAs薄膜上热氧化物的角度分辨XPS研究
作者:
S.S. Avadhani
;
Indian Institute of Technology
;
Madras
;
India
;
S.K. Viswanathan
;
Indian Institute of Technology
;
Madras
;
India
;
B.S. Gopalam
;
Indian Institute of Technology
;
Madras
;
India.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
28.
Photonic device applications of quantum-well structures: role of particle scattering on device performance
机译:
量子阱结构在光子器件中的应用:粒子散射对器件性能的作用
作者:
Author(s): P.K. Basu Univ. of Calcutta Calcutta India.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
29.
Influence of doping concentration and interface state density on grain boundary barrier height of polycrystalline silicon
机译:
掺杂浓度和界面态密度对多晶硅晶界势垒高度的影响
作者:
D.P. Singh
;
Banaras Hindu Univ.
;
Varanasi
;
India
;
P.S. Basak
;
Banaras Hindu Univ.
;
Varanasi
;
India.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
30.
Quantum-well injection transit time device
机译:
量子阱注入传输时间装置
作者:
B.B. Pal
;
Banaras Hindu Univ.
;
Varanasi
;
India
;
R.U. Khan
;
Banaras Hindu Univ.
;
Varanasi
;
India.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
31.
Positron lifetime studies of Al-Si Ohmic contact formed by rapid thermal processing
机译:
快速热处理形成的Al-Si欧姆接触的正电子寿命研究
作者:
R.N. Kulkarni
;
Univ. of Poona
;
Pune
;
India
;
N.M. Kulkarni
;
Univ. of Poona
;
Pune
;
India
;
Arvind D. Shaligram
;
Univ. of Poona
;
Pune
;
India.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
32.
Window coating prospects of Cu2Se thin films
机译:
Cu2Se薄膜的窗涂前景
作者:
M.Pattabi
;
Mangalore Univ.
;
Mangalagangotri
;
India
;
P.J. Sebastian
;
Indian Institute of Technology
;
Madras
;
India
;
V.Sivaramakrishnan
;
Indian Institute of Technology
;
Madras
;
India.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
33.
XPS depth profile of ion-beam-synthesized A12O3SiO2 composite oxide layers on silicon
机译:
硅上离子束合成的Al2O3SiO2复合氧化物层的XPS深度分布
作者:
S.K. Dubey
;
Univ. of Bombay
;
Bombay
;
India
;
A.D. Yadav
;
Univ. of Bombay
;
Bombay
;
India
;
P.M. Raole
;
Indian Institute of Technology
;
Bombay
;
India
;
P.D. Prabhawalkar
;
Indian Institute of Technology
;
Bombay
;
India.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
34.
Ultrathin oxide (SiOx) grown on HF-treated silicon
机译:
在HF处理的硅上生长的超薄氧化物(SiOx)
作者:
E.T. P. Benny
;
Indian Institute of Technology
;
Madras
;
India
;
J.Majhi
;
Indian Institute of Technology
;
Madras
;
India.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
35.
Variation of bandgap with composition in (ZnTe)x(CdSe)1-x single crystals
机译:
(ZnTe)x(CdSe)1-x单晶中带隙随组成的变化
作者:
V.K. M. Rani
;
Sri Venkateswara Univ.
;
Tirupati
;
India
;
R.P. Vijaya Lakshmi
;
Sri Venkateswara Univ.
;
Tirupati
;
India
;
D.R. Reddy
;
Sri Venkateswara Univ.
;
Tirupati
;
India
;
B.K. Reddy
;
Sri Venkateswara Univ.
;
Tirupati
;
India.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
36.
Transport properties of semiconducting GaxIn1-xSb solid solutions
机译:
半导体GaxIn1-xSb固溶体的输运性质
作者:
T. K. Silva Prasad Gupta
;
Banaras Hindu Univ.
;
Varanasi
;
India
;
P.P. Sahay
;
Banaras Hindu Univ.
;
Varanasi
;
India
;
M.Shamsuddin
;
Banaras Hindu Univ.
;
Varanasi
;
India
;
P.Ramachandrarao
;
Banaras Hindu Univ.
;
Varanasi
;
India.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
37.
Transport properties of Bi-doped Ge-Se glasses
机译:
掺双锗硒玻璃的输运性质
作者:
Pawan Sikka
;
Technology Bhawan
;
New Delhi
;
India.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
38.
Tools for defect characterization in semiconductor devices: EBIC and voltage contrast
机译:
半导体器件缺陷表征工具:EBIC和电压对比
作者:
M.Natarajan
;
Univ. of Kerala
;
Trivandrum
;
India
;
V.K. Vaidyan
;
Univ. of Kerala
;
Trivandrum
;
India
;
M.K. Radhakrishnan
;
Vikram Sarabhai Space Ctr.
;
Trivandrum
;
India.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
39.
Tetravalent titanium addition to co
机译:
四价钛除钴
作者:
B.L. Patil
;
Shivaji Univ.
;
Kolhapur
;
India
;
A.B. Patil
;
Shivaji Univ.
;
Kolhapur
;
India
;
M.G. Patil
;
Shivaji Univ.
;
Kolhapur
;
India
;
V.C. Mahajan
;
Shivaji Univ.
;
Kolhapur
;
India
;
B.V. Bhise
;
Shivaji Univ.
;
Kolhapur
;
India
;
S.M. Chandake
;
Shivaji Univ.
;
Kar
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
40.
Thin film photoelectrodes of ternary chalcogenide CdSe1-xTex for photoelectrochemical solar cells a
机译:
用于光电化学太阳能电池的三级硫族化物CdSe1-xTex薄膜光电电极
作者:
V.D. Das
;
Indian Institute of Technology
;
Madras
;
India.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
41.
Some aspects of CdTe
机译:
CdTe的某些方面
作者:
Shyam Singh
;
G.B. Pant Univ. of Agriculture
;
Technology
;
Pantnagar
;
India.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
42.
Electronic conduction and density of states in Pb-modified amorphous germanium sulfide semiconductors
机译:
铅改性非晶锗硫化物半导体中的电子传导和态密度
作者:
S.K. Malik
;
Maharishi Dayanand Univ.
;
Rhotak
;
India
;
K.L. Bhatia
;
Maharishi Dayanand Univ.
;
Rhotak
;
India.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
43.
Photoemission from the surface of silicon using a simple local dielectric model
机译:
使用简单的局部介电模型从硅表面进行光发射
作者:
R.K. Thapa
;
North Eastern Hill Univ.
;
Aizawl
;
Mizoram
;
India
;
P.Das
;
North Bengal Univ.
;
Siliguri
;
India
;
Nikhiles Kar
;
North Bengal Univ.
;
Siliguri
;
India.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
44.
Physics of overstress-related failures in semiconductor devices
机译:
半导体器件中与过应力相关的故障的物理学
作者:
M.K. Radhakrishnan
;
Vikram Sarabhai Space Ctr.
;
Trivandrum
;
India
;
M.Natarajan
;
Univ. of Kerala
;
Trivandrum
;
India.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
45.
Studies on semiconducting samarium-sulphide electrolyte junction cells
机译:
半导体硫化铝电解质结电池的研究
作者:
S.B. Jundale
;
A.S.C. College
;
Ramanandnagar
;
Maharashtra
;
India
;
C.D. Lokhande
;
Shivaji Univ.
;
Kolhapur
;
India.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
46.
Electronic transport processes in disordered semiconductors
机译:
无序半导体中的电子传输过程
作者:
S.Summerfield
;
Univ. of Warwick
;
Coventry
;
United Kingdom.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
47.
Electrical and optical properties of CuGa0.5In0.5Se2 thin films
机译:
CuGa0.5In0.5Se2薄膜的电学和光学性质
作者:
Y.Aparna
;
Sri Venkateswara Univ.
;
Tirupati
;
India
;
P.S. Reddy
;
Sri Venkateswara Univ.
;
Tirupati
;
India
;
B.Srinivasulu Naidu
;
Sri Venkateswara Univ.
;
Tirupati
;
India
;
P.J. Reddy
;
Sri Venkateswara Univ.
;
Tirupati
;
India.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
48.
Electrical transport in some polymetallo phthalocyanines
机译:
某些多金属酞菁的电迁移
作者:
Anasuya Raghunathan
;
Indian Institute of Technology
;
Madras
;
India
;
T.S. Natarajan
;
Indian Institute of Technology
;
Madras
;
India
;
G.Rangarajan
;
Indian Institute of Technology
;
Berkeley
;
CA
;
USA
;
S.Venkatachalam
;
Vikram Sarabhai Space Ctr.
;
Trivandrum
;
In
会议名称:
《》
|
1992年
49.
Electrical properties of Cd0.3Ni0.7+xMnxFe2O4 ferrites
机译:
Cd0.3Ni0.7 + xMnxFe2O4铁氧体的电性能
作者:
M.G. Patil
;
Shivaji Univ.
;
Kolhapur
;
India
;
V.C. Mahajan
;
Shivaji Univ.
;
Kolhapur
;
India
;
B.V. Bhise
;
Shivaji Univ.
;
Kolhapur
;
India
;
S.M. Chandake
;
Shivaji Univ.
;
Karnatak State
;
India
;
B.L. Patil
;
Shivaji Univ.
;
Kolhapur
;
India
;
A.B. Patil
;
Shivaji Univ
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
50.
Electrical magnetic and thermal properties of ternary A2B2O7 pyrochlores: a family of magnetic semiconductors
机译:
三元A2B2O7烧绿石的电磁和热性质:磁性半导体家族
作者:
G.Rangarajan
;
Indian Institute of Technology
;
Berkeley
;
CA
;
USA
;
Narayani Senthilkumaran
;
Indian Institute of Technology
;
Madras
;
India
;
N.P. Raju
;
Max-Plank-Institut fuer Festkoerperforschung
;
Stuttgart
;
Federal Republic of Germany
;
E.Gmelin
;
Max-Plank-I
会议名称:
《》
|
1992年
51.
Effect of ultrathin metal layers on the plasma anodization of GaAs
机译:
超薄金属层对GaAs等离子体阳极氧化的影响
作者:
Sh. Lanyi
;
Institute of Physics
;
Bratislava
;
Czechoslovakia
;
E.Pincik
;
Institute of Physics
;
Bratislava
;
Czechoslovakia
;
V.Nadazdy
;
Institute of Physics
;
Bratislava
;
Czechoslovakia.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
52.
Effect of surface recombination and modulated frequency on the intrinsic parameters of an ion-implanted GaAs OPFET
机译:
表面重组和调制频率对离子注入GaAs OPFET固有参数的影响
作者:
V.K. Singh
;
Banaras Hindu Univ.
;
PO-Sunderpur(BHU)
;
Varanasi
;
India
;
S.R. Singh
;
Regional Engineering College
;
Silchar
;
Assam
;
India
;
B.B. Pal
;
Banaras Hindu Univ.
;
Varanasi
;
India.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
53.
Effect of back-gate bias and interface trap density on the subthreshold characteristics of thin film SOI-MOSFETs
机译:
背栅偏置和界面陷阱密度对薄膜SOI-MOSFET亚阈值特性的影响
作者:
C.Mallikarjun
;
Indian Institute of Technology
;
Madras
;
India
;
K.N. Bhat
;
Indian Institute of Technology
;
Madras
;
India.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
54.
Direct evidence for negative-U nature of DX center in AlxGa1-xAs
机译:
AlxGa1-xAs中DX中心的负U性质的直接证据
作者:
Subhasis Ghosh
;
Indian Institute of Science
;
Bangalore
;
India
;
Vikram Kumar
;
Indian Institute of Science
;
Bangalore
;
Karnataka
;
India.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
55.
Development of a process simulator for optical waveguide fabrication by ion exchange in glass
机译:
开发用于通过玻璃中离子交换制造光波导的工艺模拟器
作者:
Sushila Singh
;
Univ. of Poona
;
Pune
;
India
;
Bipin Singh
;
Univ. of Poona
;
Pune
;
India
;
Arvind D. Shaligram
;
Univ. of Poona
;
Pune
;
India.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
56.
Dc and ac conductivity of amorphous CuInTe2 thin films
机译:
非晶态CuInTe2薄膜的直流和交流电导率
作者:
S.K. Viswanathan
;
Indian Institute of Technology
;
Madras
;
India
;
F.M. Amanullah
;
Indian Institute of Technology
;
Dar-us-salam
;
Hyderabad
;
India
;
S.S. Avadhani
;
Indian Institute of Technology
;
Madras
;
India
;
B.S. Gopalam
;
Indian Institute of Technology
;
Ma
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
57.
Characterization of hydrogenated amorphous silicon carbide films
机译:
氢化非晶碳化硅膜的表征
作者:
S.Uthanna
;
Sri Venkateswara Univ.
;
Tirupati
;
India.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
58.
Characterization of SnSe films for device a
机译:
器件a的SnSe薄膜的表征
作者:
R.K. Bedi
;
Guru Nanak Dev Univ.
;
Amritsar
;
India.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
59.
Chemical spray deposition of CuGaS2 thin films
机译:
化学喷雾沉积CuGaS2薄膜
作者:
K.Subbaramaiah
;
Sri Venkateswara Univ.
;
Tirupati
;
India
;
V.S. Raja
;
Sri Venkateswara Univ.
;
Tirupati
;
India.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
60.
Broadening of cyclotron resonance line of 2-D electron gas in a multiple-quantum-well structure
机译:
多量子阱结构中二维电子气回旋共振线的拓宽
作者:
M.P. Chaubey
;
Dawson College of General
;
Professional Education
;
Montreal
;
Quebec
;
Canada.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
61.
Analytical modeling of the channel-charge in ion-implanted MOSFETs and MESFETs
机译:
离子注入MOSFET和MESFET中的沟道电荷的分析模型
作者:
S.Karmalkar
;
Indian Institute of Technology
;
Madras
;
India
;
K.N. Bhat
;
Indian Institute of Technology
;
Madras
;
India.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
62.
Amorphous CuInTe2 thin films
机译:
非晶态CuInTe2薄膜
作者:
S.K. Viswanathan
;
Indian Institute of Technology
;
Madras
;
India
;
F.M. Amanullah
;
Indian Institute of Technology
;
Dar-us-salam
;
Hyderabad
;
India
;
S.S. Avadhani
;
Indian Institute of Technology
;
Madras
;
India
;
B.S. Gopalam
;
Indian Institute of Technology
;
Ma
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
63.
Fundamental optical properties of Zn3P2
机译:
Zn3P2的基本光学性质
作者:
Jan Misiewicz
;
Technical Univ. of Wroclaw
;
Wroclaw
;
Poland.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
64.
Growth of silicon nitride by PECVD
机译:
通过PECVD生长氮化硅
作者:
V.Jayan
;
Indian Institute of Technology
;
Madras
;
India
;
Dev Alok
;
Indian Institute of Technology
;
Madras
;
India
;
P.R. Vaya
;
Indian Institute of Technology
;
Madras
;
India.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
65.
High-field-induced hot-carrier temperature bandgap narrowing and carrier multiplication in bulk semiconductors
机译:
块状半导体中高场诱导的热载流子温度带隙变窄和载流子倍增
作者:
Vijay K. Arora
;
Research
;
Development Corp. of Japan
;
Univ. of Tokyo
;
Wilkes-Barre
;
PA
;
USA
;
Hiroyuki Sakaki
;
Research
;
Development Corp. of Japan
;
Univ. of Tokyo
;
Minato-ku
;
Tokyo
;
Japan.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
66.
Ferroelectric integrated optics and semiconductor memory devices
机译:
铁电集成光学器件和半导体存储器件
作者:
H.Tiwary
;
Ravishankar Univ.
;
Raipur
;
India.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
67.
Exciton mobility in a GaAs/AlGaAs quantum well
机译:
GaAs / AlGaAs量子阱中的激子迁移率
作者:
Partha Ray
;
Univ. of Calcutta
;
Calcutta
;
India
;
P.K. Basu
;
Univ. of Calcutta
;
Calcutta
;
India.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
68.
Studies on ITO/Si junctions prepared by spray pyrolysis technique
机译:
喷雾热解法制备ITO / Si结的研究
作者:
A.Subrahmanyam
;
Indian Institute of Technology
;
Madras
;
India
;
V.Vasu
;
Indian Institute of Technology
;
Madras
;
India.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
69.
Shubnikov-de Haas effect in II-V semiconducting compounds
机译:
Shubnikov-de Haas在II-V型半导体化合物中的作用
作者:
J.Cisowski
;
Polish Academy of Sciences
;
Zabrze
;
Poland.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
70.
Photovoltaic properties of ZnxCd1-xS/CuGaSe2 thin film solar cells
机译:
ZnxCd1-xS / CuGaSe2薄膜太阳能电池的光伏性能
作者:
K.T. R. Reddy
;
Sri Venkateswara Univ.
;
Tirupati
;
India
;
P.J. Reddy
;
Sri Venkateswara Univ.
;
Tirupati
;
India.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
71.
Photostable amorphous-silicon films by low-pressure chemical vapour deposition
机译:
低压化学气相沉积法制得的光稳定非晶硅膜
作者:
K.K. Sharma
;
Univ. of Meerut
;
Shamli
;
India
;
C.Manfredotti
;
Univ. of Torino
;
Torino
;
Italy.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
72.
Preparation and characterization of Mn-doped sprayed p-CuInS2 films
机译:
锰掺杂喷涂p-CuInS2薄膜的制备与表征
作者:
R.P. Vijaya Lakshmi
;
Sri Venkateswara Univ.
;
Tirupati
;
India
;
D.R. Reddy
;
Sri Venkateswara Univ.
;
Tirupati
;
India
;
B.K. Reddy
;
Sri Venkateswara Univ.
;
Tirupati
;
India.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
73.
Properties of spray pyrolysed SnO2:Sb films
机译:
喷雾热解SnO2:Sb薄膜的性能
作者:
A.Arulgnanam
;
Pondicherry Univ.
;
Pondicherry
;
India
;
S.Balachandran
;
Bishop Heber College
;
Tiruchirapalli
;
India
;
A.Balasubramanian
;
Pondicherry Univ.
;
Pondicherry
;
India.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
74.
Chemical deposition of large-area silver sulphide films
机译:
大面积硫化银膜的化学沉积
作者:
S.S. Dhumure
;
Vivekanand College
;
Kolhapur
;
India
;
C.D. Lokhande
;
Shivaji Univ.
;
Kolhapur
;
India.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
75.
Organometallic molecular precursors for low-temperature MOCVD of III-V semiconductors
机译:
III-V半导体低温MOCVD的有机金属分子前驱体
作者:
F.Maury
;
Lab. de Cristallochimie
;
Reactivite et Protection des Materi
;
Toulouse Cedex
;
France.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
76.
Aging characteristics of CdSe thin films at low temperatures
机译:
CdSe薄膜在低温下的时效特性
作者:
P.J. Sebastian
;
Indian Institute of Technology
;
Madras
;
India
;
V.Sivaramakrishnan
;
Indian Institute of Technology
;
Madras
;
India.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
77.
n-i-p-i and hetero n-i-p-i doping superlattices physics and device a
机译:
n-i-p-i和异质n-i-p-i掺杂超晶格物理和器件
作者:
Gottfried H. Doehler
;
Univ. Erlangen-Nuernberg
;
Erlangen
;
Federal Republic of Germany.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
78.
New solar cell based on cooperative functioning of electrovoltaic and photovoltaic effects
机译:
基于光电效应协同作用的新型太阳能电池
作者:
S.N. Singh
;
National Physical Lab.
;
New Delhi
;
India.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
79.
Mechanism of etching of silicon-based materials in a reactive plasma
机译:
反应等离子体中硅基材料的腐蚀机理
作者:
V.Premachandran
;
Indian Telephone Industries
;
Bangalore
;
India.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
80.
Microstructure and electronic properties of amorphous semiconductors in the system Ge-S-Bi
机译:
Ge-S-Bi体系中非晶半导体的微观结构和电子性质
作者:
K.L. Bhatia
;
Maharishi Dayanand Univ.
;
Rhotak
;
India.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
81.
Magnetotunneling effect in semiconductors: a clue to the measurement of tunneling time
机译:
半导体中的磁隧道效应:隧穿时间测量的线索
作者:
Dilip K. Roy
;
Indian Institute of Technology/Delhi
;
New Delhi
;
India.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
82.
Influence of dopants on the electrical transport properties of Pbo.8Sno2Te thin films
机译:
掺杂剂对Pbo.8Sno2Te薄膜电输运性能的影响
作者:
Pawan Sikka
;
Technology Bhawan
;
New Delhi
;
India.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
83.
Kinematical studies of glass transition in Se100-xTex by DSC technique
机译:
用DSC技术研究Se100-xTex中玻璃化转变的运动学
作者:
P.Agarwal
;
Harcourt Butler Technological Institute
;
Kanpur
;
India
;
J.S. Rai
;
Harcourt Butler Technological Institute
;
Kanpur
;
India
;
A.Kumar
;
Harcourt Butler Technological Institute
;
Kanpur
;
India.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
|
1992年
84.
Kinetics of thermal donors and new oxygen donors in silicon
机译:
硅中热供体和新氧供体的动力学
作者:
D.Tandon
;
G.B. Pant Univ. of Agriculture
;
Technology
;
Pantnagar
;
India
;
Shyam Singh
;
G.B. Pant Univ. of Agriculture
;
Technology
;
Pantnagar
;
India.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
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1992年
85.
Electrical characterization of the reactive-ion-etch-induced damages in silicon
机译:
硅中反应性离子蚀刻引起的损伤的电学表征
作者:
N.Ramadas
;
Indian Telephone Industries
;
Bangalore
;
India
;
V.Premachandran
;
Indian Telephone Industries
;
Bangalore
;
India.
会议名称:
《Conf on Physics and Technology of Semiconductor Devices and Integrated Circuits》
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1992年
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