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Silicon carbide and related materials 1995
Silicon carbide and related materials 1995
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1.
Molecular-jet chemical vapor deposition of SiC
机译:
SiC的分子喷射化学气相沉积
作者:
D. Lubben
;
G. E. Jellison
;
F. A. Modine
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
2.
To Schottky barrier formation on metal - wide band gap semiconductor contact
机译:
在金属-宽带隙半导体接触上形成肖特基势垒
作者:
S Yu Davydov
;
S K Tikhonov
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
3.
CVD of tungsten Schottky diodes to 6H-SiC
机译:
钨肖特基二极管的化学气相沉积至6H-SiC
作者:
Nils Lundberg
;
Per Taegtstroem
;
Ulf Jansson
;
Mikael OEstling
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
4.
Preparation of polycrystalline SiC thin films and its application to resistive sensors
机译:
多晶SiC薄膜的制备及其在电阻传感器中的应用
作者:
K Kamimura
;
T Miwa
;
T Sugiyama
;
T Ogawa
;
M Nakao
;
Y Onuma
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
5.
Current transport at low temperature in Al/6H-SiC Schottky barriers
机译:
Al / 6H-SiC肖特基势垒中的低温电流传输
作者:
C.V.Reddy
;
S.Fung
;
C.D.Beling
;
G. Brauer
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
6.
6H-SiC pn structures fabricated by sublimation growth of p+ layer on CVD epitaxial layers of n-type conductivity
机译:
通过在n型导电性的CVD外延层上升华p +层而形成的6H-SiC pn结构
作者:
A.A.Lebedev
;
A.A.Maltsev
;
N.K.Poletaev
;
M.G. Rastegaeva
;
N.S Savkina
;
A.M.Strelchuk
;
V.E. Chelnokov
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
7.
Amorphization and re-crystallization of Al-implanted 6H-$iC
机译:
铝注入6H- $ iC的非晶化和再结晶
作者:
D. Kawase
;
T. Ohno
;
T. Iwasaki
;
T. Yatsuo
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
8.
Micromachining applications of heteroepitaxially grown ß-SiC layers on silicon
机译:
硅上异质外延生长的ß-SiC层的微加工应用
作者:
G. Kroetz
;
Ch. Wagner
;
W. Legner
;
H. Sonntag
;
H. Moeller
;
G. Mueller
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
9.
Positron studies of defects in ion implanted SiC
机译:
正电子研究离子注入SiC中的缺陷
作者:
G Brauer
;
W Anwand
;
Y Pacand
;
W Skorupa
;
F Plazaola
;
P G coleman
;
A P Knights
;
J Stoermer
;
P Willlutzki
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
10.
6H-SiC reactive ion etching conditions for the fabrication of semiconductor devices
机译:
制造半导体器件的6H-SiC反应离子刻蚀条件
作者:
P. H. Yih
;
V. Saxena
;
A. J. Steckl
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
11.
Orientation dependence of thermal oxidation rates in 6H-SiC
机译:
6H-SiC中热氧化速率的取向依赖性
作者:
K.Ueno
;
Y.Seki
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
12.
Characterization of Schottky contacts on n type 6H-SiC
机译:
n型6H-SiC上肖特基接触的表征
作者:
Y.G.Zhang
;
X.L.Li
;
A.Z.Li
;
A.G.Milnes
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
13.
DC and low frequency noise characterization of 6H-SiC MOSFETs from 25℃ to 450℃
机译:
6H-SiC MOSFET在25℃至450℃的直流和低频噪声特性
作者:
J. B. Casady
;
W. C. Dillard
;
R. W. Johnson
;
A. K. Agarwal
;
R. R. Siergiej
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
14.
Effects of gamma-ray irradiation and thermal annealing on electrical characteristics of SiC MOSFETs
机译:
γ射线辐照和热退火对SiC MOSFETs电学特性的影响
作者:
Takeshi Ohshima
;
Masahito Yoshikawa
;
Hisayoshi Itoh
;
Tetsuo Takahasjo
;
Hajime Okumura
;
Sadailimi Yoshida
;
Isamu Nashiyama
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
15.
NMOS and PMOS high temperature enhancement- mode devices and circuits in 6H-SiC
机译:
6H-SiC中的NMOS和PMOS高温增强模式器件和电路
作者:
D.B. Slater Jr.
;
L.A. Lipkin
;
G.M. Johnson
;
A.V. Suvorov
;
J.W. Palmour
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
16.
Ion beam induced crystallization of 6H-SiC
机译:
离子束诱导的6H-SiC结晶
作者:
V Heera
;
R Koegler
;
W Skorupa
;
J Stoemenos
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
17.
Annealing behavior and electrical properties of boron implanted 4H-SiC-layers
机译:
硼注入4H-SiC层的退火行为和电性能
作者:
K.Hoelzlein
;
H.Mitlehner
;
R.Rupp
;
R. Stein
;
D.Peters
;
J.Voelkl
;
D.Stephani
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
18.
Activation of donor and acceptor implants in 6H-SiC: a photoluminescence study
机译:
6H-SiC中供体和受体植入物的激活:光致发光研究
作者:
J.A. Freitas Jr.
;
J. Gardner
;
M.V. Rao
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
19.
High temperature implantation of β-SiC and its characterization
机译:
β-SiC的高温注入及其表征
作者:
R. Lossy
;
W. Reichert
;
E. Obermeier
;
J. Stoemenost
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
20.
Ion implantation and recrystallization of silicon carbide
机译:
碳化硅的离子注入和重结晶
作者:
E. Glaser
;
A. Heft
;
J. Heindl
;
U. Kaiser
;
T. Bachmann
;
W. Wesch
;
H.P.Strunk
;
E. Wendler
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
21.
Film growth mechanism in synthesis of β-SiC films by using SiH_2Cl_2/C_2H_2/H_2-CVD reaction system
机译:
SiH_2Cl_2 / C_2H_2 / H_2-CVD反应系统合成β-SiC膜的膜生长机理
作者:
Lu-Sheng Hong
;
Chang-Ming Wu
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
22.
Homoepitaxial growth of 3C-SiC on 3C-SiC substrates grown by sublimation method
机译:
通过升华法在3C-SiC衬底上3C-SiC的同质外延生长
作者:
Katsushi Nishino
;
Tsunenobu Kimoto
;
Hiroyuki Matsunami
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
23.
Electronic properties of 3C-SiC films grown by alternate gas supply
机译:
通过交替供气生长的3C-SiC薄膜的电子性能
作者:
Hiroyuki NAGASAWA
;
Hideaki MITSUI
;
Takamitsu KAWAHARA
;
Kuniaki YAGI
;
Yoh-ichi YAMAGUCHI
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
24.
Buried epitaxial layers of 3C-SiC in Si(100) and Si(111) by ion beam synthesis: a structural characterization
机译:
通过离子束合成在Si(100)和Si(111)中埋入3C-SiC的外延层:结构表征
作者:
J K N Lindner
;
K Volz
;
B Stritzker
会议名称:
《》
|
1995年
25.
Electrical characterization of SiC/Si-heterostructures formed by rapid thermal carbonization of Si
机译:
Si快速热碳化形成的SiC / Si异质结构的电特性
作者:
U Baumann
;
J Pezoldt
;
V Cimalla
;
O Nennewitz
;
F Schwierz
;
D Schi- panski
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
26.
Observation of the Meyer and Neldel rule in silicon carbide inversion layers
机译:
碳化硅反型层中Meyer和Neldel规则的观察
作者:
T.Ouisse
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
27.
Growth orientation dependence of dopant incorporation in bulk SiC single crystals
机译:
块状SiC单晶中掺入掺杂剂的生长取向依赖性
作者:
Naohiro Sugiyama
;
Atsuto Okamoto
;
Toshihiko Tani
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
28.
Comparative investigation of structural, optical and electrical properties of 6H-SiC layers grown by CVD and SSM epitaxial techniques
机译:
CVD和SSM外延技术生长的6H-SiC层的结构,光学和电学性质的比较研究
作者:
A L Syrkin
;
J M Bluet
;
C Dezauzier
;
T Bretagnon
;
S Contreras
;
J L Robert
;
G Bastide
;
J Camassel
;
M M Anikin
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
29.
High resolution XRD study of silicon carbide CVD growth
机译:
碳化硅CVD生长的高分辨率XRD研究
作者:
A. S. Bakin
;
C. Hallin
;
O. Kordina
;
E. Janaen
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
30.
Electronic states of heterocrystalline structures
机译:
异晶结构的电子态
作者:
Friedhelm Bechstedt
;
Peter Kaeckell
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
31.
Improvement of the SiC CVD epitaxial process in a vertical reactor configuration
机译:
垂直反应器配置中SiC CVD外延工艺的改进
作者:
R. Rupp
;
P.Lanig
;
R. Schoerner
;
K.-O. Dohnke
;
J. Voelkl
;
D. Stephani
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
32.
New deep acceptor at E_v+0.8eV in 6H silicon carbide
机译:
6H碳化硅中E_v + 0.8eV处的新深受体
作者:
E.N. Kalabukhova
;
S.N. Lukin
;
E.N. Mokhov
;
J. Reinke
;
S. Greulich- Weber
;
J.-M. Spaeth
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
33.
First-principles calculations of pressure-dependent properties of SiC
机译:
SiC压力相关特性的第一性原理计算
作者:
K Karch
;
A Zywietz
;
F Bechstedt
;
P Pavone
;
D Strauch
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
34.
LIF detection of excited-neutral N_2 from a nitrogen plasma source
机译:
LIF检测来自氮等离子体源的激发中性N_2
作者:
Hiroshi Kajiyama
;
Kozo Kimura
;
Hajime Okumura
;
Ryuichi Katsumi
;
Yoshinobu Nakada
;
Masashi Ozeki
;
Takafumi Yao
;
Yoshitada Murata
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
35.
Crystal orientation of GaN films grown on (001) GaAs substrates by plasma-assisted metalorganic chemical vapor deposition
机译:
通过等离子辅助金属有机化学气相沉积法在(001)GaAs衬底上生长的GaN膜的晶体取向
作者:
Michio Sato
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
36.
Relaxation and recombination dynamics in GaN/Al_2O_3 epilayers
机译:
GaN / Al_2O_3外延层中的弛豫和复合动力学
作者:
L. Eckey
;
R. Heitz
;
A. Hoffmann
;
I. Broser
;
B. K. Meyer
;
K. Hiramatsu
;
T. Detchprohm
;
H. Amano
;
I. Akasaki
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
37.
Exciton dynamics in GaN
机译:
GaN中的激子动力学
作者:
J.P. Bergman
;
B. Monemar
;
H. Amano
;
I. Akasaki
;
K. Hiramatsu
;
N. Sawaki
;
T. Detchprohm
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
38.
Bandgap energy of cubic GaN
机译:
立方氮化镓的带隙能
作者:
H.Okumura
;
K.Ohta
;
K.Ando
;
W.W.Ruehle
;
T.Nagatomo
;
S.Yoshida
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
39.
Excitonic structure of GaN epitaxial films grown by hydride-vapor-phase epitaxy
机译:
氢化物汽相外延生长GaN外延膜的激子结构
作者:
L. Eckey
;
L. Podlowski
;
A. Goeldner
;
A. Hoffmannf
;
I. Broser
;
B. K. Meyer
;
D. Volmi
;
T. Streibl
;
K. Hiramatsu
;
T. Detchprohm
;
H. Amano
;
I. Akasaki
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
40.
Dry etching of gallium nitride using CCl_2F_2, CCl_4 and their mixtures with N_2 and air
机译:
使用CCl_2F_2,CCl_4及其与N_2和空气的混合物对氮化镓进行干法刻蚀
作者:
K V Vassilevski
;
V E Sizov
;
A I Babanin
;
Yu V Melnik
;
A S Zubrilov
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
41.
Reflectance study of MOVPE grown GaN using triethylgallium and ammonia
机译:
三乙基镓和氨对MOVPE生长的GaN的反射率研究
作者:
O.Briot
;
B.Gil
;
S.Sanchez
;
R.L.Aulombard
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
42.
MOVPE production reactor technology for multiwafer SiC and GaN growth at very high temperatures
机译:
MOVPE生产反应器技术,可在非常高的温度下生长多晶片SiC和GaN
作者:
D. Schmitz
;
E. Woelk
;
G. Strauch
;
R. Beccard
;
F. Schulte
;
H. Juergemen
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
43.
Mass-spectrometric study of gas reaction of trimethylgallium-monomethylhydrazine in a low-pressure metalorganic chemical vapor deposition apparatus by in-situ gas sampling
机译:
低压金属有机化学气相沉积设备中三甲基镓-单甲基肼气相反应的质谱研究
作者:
Makoto Ishii
;
Tadatsugu Minami
;
Toshihiro Miyata
;
Satoru Karaki
;
Shinzo Takata
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
44.
Optical properties of wurtzite GaN/AlGaN quantum wells
机译:
纤锌矿型GaN / AlGaN量子阱的光学性质
作者:
M Suzuki
;
T Uenoyama
;
S Kamiyama
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
45.
Growth of GaN films by plasma-excited organometallic vapor phase epitaxy
机译:
等离子体激发有机金属气相外延生长GaN薄膜
作者:
Akihiro WAKAHARA
;
Takashi TOKUDA
;
Akio SASAKI
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
46.
X-ray photoelectron spectroscopy of GaN layer formed on GaAs by NH3-plasma nitridation and successive excimer-laser irradiation
机译:
NH3-等离子体氮化和准分子激光连续辐照在GaAs上形成的GaN层的X射线光电子能谱
作者:
Atsushi Masuda
;
Yasuto Yonezawa
;
Akiharu Morimoto
;
Tatsuo Shimizu
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
47.
Electronic structure of Ga_(1-x)In_x N by the tight-binding method with nearest-neighbor s, p and d and second-neighbors and p interactions
机译:
Ga_(1-x)In_x N的电子结构,采用紧密结合方法,具有最近的s,p和d以及第二近邻和p相互作用
作者:
S. Nakajima
;
T. Yang
;
S. Sakai
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
48.
PECVD growth of a-Si_(1-x)C_x:H thin film on Si(111) substratevS by ion species
机译:
通过离子种类在Si(111)衬底上PECVD生长a-Si_(1-x)C_x:H薄膜
作者:
M Hirai
;
M Miyatake
;
M Kusaka
;
M Iwami
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
49.
Device modeling of enhancement-mode diamond MESFEiT utilizing p-type surface semiconductive layers
机译:
利用p型表面半导体层的增强型金刚石MESFEiT的器件建模
作者:
Nobutaka Jin
;
Hidetoshi Sakai
;
Kazuo Tsugawa
;
Hiroshi Kawarada
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
50.
Fabrication of logic circuits using diamond metal- semiconductor field-effect transistor
机译:
使用金刚石金属-半导体场效应晶体管制造逻辑电路
作者:
M.Itoh
;
A.Hokazono
;
H.Noda
;
H.Kawarada
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
51.
Scanning tunneling microscopy and spectroscopy for studying hydrogen-terminated homoepitaxial diamond surfaces
机译:
扫描隧道显微镜和光谱法研究氢封端的同质外延金刚石表面
作者:
Atsuhiro Sato
;
Satoshi Yamashita
;
Hiroshi Kawarada
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
52.
Si isotope enrichment by infrared laser
机译:
红外激光富集硅同位素
作者:
H. Suzuki
;
H. Araki
;
T. Noda
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
53.
Violet light emission from GaN/Al_(0.05)Ga_(0.95)N injection diode grown on 6H-SiC substrate by low-pressure MO-VPE
机译:
低压MO-VPE在6H-SiC衬底上生长的GaN / Al_(0.05)Ga_(0.95)N注入二极管发出的紫光
作者:
Yuichiro Kuga
;
Toshio Shirai
;
Makiko Haruyaina
;
Hideo Kawanishi
;
Yasuharu Suematsu
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
54.
Radiation-induced damage and recrystallization of amorphized α -SiC by MeV Ni and Au implantation
机译:
MeV Ni和Au注入对非晶α-SiC的辐射诱导损伤和重结晶
作者:
N Shimatani
;
K Kawatsura
;
R Takahashi
;
A Nishihata
;
S Arai
;
Y Aoki
;
S Yamamoto
;
H Takeshita
;
H Naramoto
;
Y Horino
;
Y Mokuno
;
K Fujii
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
55.
Design of GaN-based surface emitting laser with low threshold operation
机译:
低阈值工作的GaN基表面发射激光器的设计
作者:
T. Honda
;
A. Katsube
;
T. Sakaguchi
;
F. Koyama
;
K. Iga
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
56.
Computer simulation of optical confinement in III-V nitride double heterostructures
机译:
III-V氮化物双异质结构中光学限制的计算机模拟
作者:
V E Bougrov
;
A S Zubrilov
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
57.
Step bunching in 6H- and 4H-SiC growth by step-controlled epitaxy
机译:
通过逐步控制外延在6H-和4H-SiC生长中逐步聚集
作者:
T.Kimoto
;
A.Itoh
;
H.Matsunami
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
58.
Electronic devices based on GaN-AlGaN material system
机译:
基于GaN-AlGaN材料系统的电子设备
作者:
M. Asif Khan
;
Q. Chen
;
J. W. Yang
;
C. J. Sun
;
M. S. Shur
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
59.
Epitaxial growth of single crystalline 3C-SiC on Si from hexamethyldisilane and void formation mechanism
机译:
六甲基乙硅烷在Si上外延生长单晶3C-SiC及其空穴形成机理
作者:
C.H. Wu
;
C. Jacob
;
X. J. Ning
;
P. Pirouz
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
60.
Silicon carbide liquid phase epitaxy in the Si-Sc-C system
机译:
Si-Sc-C系统中的碳化硅液相外延
作者:
R. Yakimova
;
M. Tuominen
;
A.S. Bakin
;
J.-O. Fornell
;
A. Vehanen
;
E. Janzen
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
61.
A new reactor concept for epitaxial growth of SiC
机译:
外延生长SiC的新反应器概念
作者:
N. Nordell
;
S.G. Andersson
;
A. Schoener
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
62.
Single phase 3C-SiC(001)/Si(001) growth by surface controlled epitaxy
机译:
表面控制外延生长单相3C-SiC(001)/ Si(001)
作者:
Makoto Kitabatake
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
63.
MBE of GaN on 6H-SiC and GaAs substrates using hydrazine as a nitrogen source
机译:
以肼为氮源的6H-SiC和GaAs衬底上GaN的MBE
作者:
V.G.Antipov
;
S.A.Nikishin
;
A.S.Zubrilov
;
D.V.Tsvetkov
;
V.P.Ulin
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
64.
Effects of nitrogen source conditions on the properties of GaN/sapphire (0001) grown by ECR- MBE: PL and XRD study
机译:
氮源条件对ECR-MBE生长的GaN /蓝宝石(0001)性能的影响:PL和XRD研究
作者:
T. Maruyama
;
S.H. Cho
;
K. Akimolo
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
65.
Characterization of GaN grown with a high growth rate by RF-radical source molecular beam epitaxy
机译:
射频自由基源分子束外延表征高生长速率的GaN
作者:
Masashi Mori
;
Akihiko Kikuchi
;
Katsumi Kishino
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
66.
Fabrication of blue and green nitride light-emitting diodes
机译:
蓝色和绿色氮化物发光二极管的制造
作者:
Shuji Nakamura
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
67.
The growth of p-type epitaxial GaN films on sapphire substrates in a production scale multi-wafer rotating disc MOCVD reactor
机译:
生产规模的多晶片转盘MOCVD反应器中蓝宝石衬底上p型外延GaN膜的生长
作者:
C Yuan
;
T Salagaj
;
A Gurary
;
W Kroll
;
R A Stall
;
C -Y Hwang
;
M Schunnan
;
Y Li
;
W E Mayo
;
Y Lu
;
S. Krishnankutty
;
R M Kolbas
;
S J Pearton
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
68.
Observation of dominant free exciton recombination from synthesized diamond by cathodoluminescence measurement
机译:
阴极发光测量观察合成金刚石的显性自由激子复合
作者:
Junichi Imamura
;
Takahiro Tsutsumi
;
Tadamasa Murakami
;
Hiroshi Kawarada
;
Sadao Takeuchi
;
Masao Murakawa
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
69.
A variable potential porous silicon carbide hydrocarbon gas sensor
机译:
可变电位多孔碳化硅碳氢化合物气体传感器
作者:
V B Shields
;
M A Ryan
;
R M Williams
;
M G Spencer
;
D M Collins
;
D Zhang
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
70.
Porous silicon carbide: material properties, formation mechanism and techniques of material modification
机译:
多孔碳化硅:材料性能,形成机理和材料改性技术
作者:
A O Konstantinov
;
C I Harris
;
A Henry
;
E Janzen
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
71.
Growth characteristics of GaN films and initial layers prepared by hot wall epitaxy
机译:
热壁外延制备的GaN薄膜和初始层的生长特性
作者:
A.Ishida
;
E.Yamamoto
;
F.Iwata
;
H.Fujiyasu
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 1995》
|
1995年
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