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余萍; 吴惠桢; 陈奶波; 徐天宁;
浙江大学;
浙江大学 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室;
无机非金属材料; MgxZn1-xO晶体薄膜; 低温物理沉积; 立方相MgxZn1-xO; 折射率;
机译:后退火对溶胶-凝胶制备的Mg_xZn_(1-x)O(0.0≤x≤0.3)纳米晶体薄膜带隙的影响
机译:脉冲激光沉积制备的Mg_xZn_(1-x)O薄膜的外延生长及其性能
机译:脉冲激光沉积法在SrTiO_3(100)衬底上制备的BiFe_(1-x)Mn_xO_3薄膜的晶体结构和电磁性能
机译:Mg掺杂对溶胶 - 凝胶法制备Mg_xZN_(1-X)O薄膜电阻切换性的影响
机译:金属有机沉积(MOD)技术制备的富锆的铅(x(x)钛(1-x))氧(3)薄膜的微观结构和性能。
机译:LaFexCo(1-x)O3薄膜减氧催化剂使用不含热导添加剂的喷雾热解法制备
机译:通过热解喷雾技术制备的ZnXCD(1-X)S和ZnXCD(1-X)S(1-X)S(IN)薄膜的一些性能
机译:薄膜Ga(x)In(1-x)as和Gaas(x)sb(1-x)合金薄膜的制备与性能。
机译:净化过程(Nb 1-x?Ta x?)2?O 5?制备KNb 1-x?Ta x?O 3?-晶体
机译:薄膜晶体管具有氧化物半导体层和阵列基质,包括相同的能力,因为其寄生电容以及垂直晶体管的性能,它可以限制垂直交叉讲义和故障,并且薄膜晶体管的性能和图像质量都得到改善
机译:薄膜晶体管,其制造方法以及包括该薄膜晶体管的平板显示装置,能够防止薄膜晶体管的分布和电气性能的恶化。
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