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两步法溅射中缓冲层厚度对Ge薄膜质量的影响

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采用低温缓冲层技术制备Ge薄膜,利用AFM和Raman光谱研究缓冲层厚度对低温Ge缓冲层残余应变弛豫的影响。实验结果显示:随着缓冲层厚度的增加,残余应变弛豫度增大。在30 nm厚的低温Ge缓冲层上生长800nm厚的Ge外延层。Ge薄膜具有良好的结晶性,表面粗糙度RMS为2.06 nm。

著录项

来源
《人工晶体学报》 |2012年第4期|950-955|共6页
作者
关中杰; 靳映霞; 王茺; 叶小松; 李亮; 杨宇;
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作者单位

云南大学光电信息材料研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜物理学;
关键词
Ge薄膜; 低温Ge缓冲层; 射频磁控溅射;

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