MOCVD生长In_xGa_(1-x)N薄膜的表征

李亮; 张荣; 谢自力; 张禹; 修向前; 刘成祥; 毕朝霞; 陈琳; 刘斌; 俞慧强; 韩平; 顾书林; 施毅; 郑有炓

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本文利用MOCVD方法在(0001)取向的蓝宝石衬底上实现了不同生工艺条件下的InxGa1-xN薄膜的制备,并通过XRD、SEM、AFM等测量分析方法系统研究了生长工艺参数对InxGa1-xN薄膜的组分和性质的影响。InxGa1-xN薄膜的制备包括蓝宝石衬底表面上GaN缓冲层的生长以及缓冲层上InxGa1-xN薄膜的沉积两个过程。通过对所制备InxGa1-xN薄膜的XRD、SEM、AFM分析发现,调节生长温度和TMGa的流量可以有效控制InxGa1-xN薄膜中In的组分,并且随着生长温度的升高,InxGa1-xN薄膜的表面缺陷减少。

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来源
《人工晶体学报》 |2005年第6期|1118-1121|共4页
作者
李亮; 张荣; 谢自力; 张禹; 修向前; 刘成祥; 毕朝霞; 陈琳; 刘斌; 俞慧强; 韩平; 顾书林; 施毅; 郑有炓;
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作者单位

江苏省光电信息功能材料重点实验室南京大学物理系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜物理学;
关键词
MOCVD; InxGa1-xN; 薄膜; 缓冲层;

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