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王玉林; 吴仲华; 徐中仓; 陈效建;
南京电子器件研究所;
异质结; 双栅功率; 场效应晶体管;
机译:InGaAs / GaAsP异质结双栅隧道场效应晶体管的性能分析
机译:基于非对称双栅Ge / GaAs-异质结隧穿场效应晶体管的无电容器单晶体管动态随机存取存储器,具有n掺杂的升压层和漏极-下覆结构
机译:BV CEO sub> = 12 V和 f italic> max sub> = 470 GHz的InP / InGaAs双异质结双极晶体管
机译:设计优化基于InGaAs / GaAsSb的异质结全方位栅(GAA)拱形隧道效应场效应晶体管(A-TFET)
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:AlAs / GaAs缓冲架构在Si上外延Ge的异质集成:适用于低功率鳍式场效应晶体管
机译:光诱导的超稀释的远程障碍效应 Gaas异质结绝缘栅中的二维孔 场效应晶体管
机译:用于集成电路的互补Gaas结栅控异质结构场效应晶体管制造
机译:制造功率晶体管装置的多层结构的方法,制造用于异质结场效应晶体管装置的多层结构的方法以及基于氮化物的异质结场效应晶体管装置
机译:在具有组合掺杂的GaAs衬底上具有阶梯式量子阱AlGaAs / GaAs / InGaAs / GaAs / AlGaAs的半导体纳米异质结构
机译:异质结场效应晶体管的基体,异质结场效应晶体管的制造方法以及异质结场效应晶体管
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