氧化石墨烯修饰碳糊电极循环伏安法测定铜离子

陈红任; 孙和鑫; 朱春城

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氧化石墨烯修饰碳糊电极循环伏安法测定铜离子

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采用改进的Hummers法合成氧化石墨烯,利用挤压填充法将氧化石墨烯修饰到碳糊电极内,成功地制备了氧化石墨烯修饰碳糊电极并探讨了在此电极上铜离子的循环伏安行为。实验表明:石墨粉与氧化石墨烯材料配比为8∶1,底液p H值为3.0,扫描速率为120 m V/s测定铜离子时为最优实验条件,氧化峰电流与铜离子浓度在4.0×10-8mol/L^1.0×10-3mol/L范围内呈良好的线性关系,检出限为4.559×10-8mol/L。氧化石墨烯修饰碳糊电极对铜离子的测定表现出良好的重现性与稳定性。

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来源
《人工晶体学报》 |2016年第11期|2634-2638|共5页
作者
陈红任; 孙和鑫; 朱春城;
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作者单位

哈尔滨师范大学化学化工学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类仪器分析法（物理及物理化学分析法）;
关键词
氧化石墨烯; 化学修饰碳糊电极; 循环伏安法; 铜离子;

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