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介孔二氧化硅/氟化石墨烯修饰碳糊电极的制备方法及其产品和应用

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本发明公开了一种介孔二氧化硅/氟化石墨烯修饰碳糊电极的制备方法及其产品和应用，首先制备介孔二氧化硅，将制备的介孔二氧化硅与碳和氟化石墨烯按比例混合均匀，再加入液态石蜡混合均匀，制成糊状物，将糊状物装入聚四氟乙烯管中压实并在管的一头插入一根铜线作为导线，然后将电极另外一头打磨抛光，从而获得介孔二氧化硅/氟化石墨烯修饰碳糊电极。该方法制备的电极比表面积大，对重金属离子选择性强，灵敏度高，操作简便。

著录项

公开/公告号CN109342528A

专利类型发明专利
公开/公告日2019-02-15

原文格式PDF
申请/专利权人上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司;
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申请/专利号CN201811591423.X
发明设计人何丹农;阳靖峰;赵昆峰;童琴;代卫国;胡丹;金彩虹;
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申请日2018-12-25
分类号G01N27/30(20060101);
代理机构31208 上海东亚专利商标代理有限公司;
代理人董梅
地址 201109 上海市闵行区剑川路468号
入库时间 2024-02-19 06:57:17

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-03-12

实质审查的生效 IPC(主分类):G01N27/30 申请日:20181225

实质审查的生效
2019-02-15

公开

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