非晶Cr/Ge多层膜的磁性和电性能研究

王锋; 许辉鳄; 杨少贵

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采用射频磁控溅射的方法制备了非晶[Crx/Ge10-x]20(x=0.1,0.3,0.5,0.8,1.1,1.6,2.7)多层膜。随着Cr层厚度增加,Ge层厚度减小,室温下薄膜磁性由抗磁性转变为铁磁性,同时样品出现了反常霍尔效应。扣除Ge层的抗磁性,制备态的[Cr2.7/Ge7.3]20的饱和磁化强度M s可达33 emu/cm3。提出了磁性起源于Cr原子层间耦合的模型,薄膜的低温电阻导电机理属于自旋依赖电子变程跃迁机制。

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来源
《人工晶体学报》 |2013年第8期|1658-1663|共6页
作者
王锋; 许辉鳄; 杨少贵;
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作者单位

泉州师范学院物理与信息工程学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜物理学;
关键词
非晶多层膜; 磁控测射; 磁性; 导电机理;

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