声光晶体TeO_2的生长及缺陷研究

季小红; 桑文斌; 刘冬华; 李冬梅; 钱永彪; 史伟民; 闵嘉华

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声光晶体TeO_2的生长及缺陷研究

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本文研究了直拉TeO2 晶体中的主要晶体缺陷形成机理 ,讨论分析了TeO2 单晶生长的工艺参数对晶体缺陷的影响。结果表明 :晶体裂缝主要与温度梯度有关 ,温度梯度大于 2 0～ 2 5℃ /cm及出现界面翻转时 ,易造成晶体的开裂 ,位错密度增加 ;晶体中的包裹体主要为气态包裹体 ,它的形成主要与籽晶的转速和晶体的提拉速度有关 ,转速 15～ 18r/min ,拉速 0 .55mm/h ,固液界面微凹 ,可以减少晶体中的气态包裹体 ;晶体台阶由晶体生长过程中温度和生长速度的起伏引起 ,当台阶间距较宽时 ,易形成包裹体。

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来源
《人工晶体学报》 |2001年第1期|93-98|共6页
作者
季小红; 桑文斌; 刘冬华; 李冬梅; 钱永彪; 史伟民; 闵嘉华;
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作者单位

上海大学嘉定校区电子信息材料系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类晶体生长工艺;晶体缺陷;
关键词
声光晶体; 氧化碲晶体; 晶体缺陷; 工艺参数; 单晶生长; 直拉法;

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