采用MOCVD法在p型Si衬底上生长ZnO薄膜

张源涛; 崔勇国; 张宝林; 朱慧超; 李万成; 常遇春; 杨树人; 杜国同

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采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在p型S i(100)衬底上生长未掺杂的n型ZnO薄膜。在不同的生长温度下,c轴取向ZnO薄膜被生长在S i衬底上,生长所采用的锌源为二乙基锌(DEZn),氧源为氧气(O2)。通过X射线衍射(XRD)、光电子能谱(XPS)和荧光光(PL)谱研究了薄膜的结构和光学特性。研究表明温度为610℃时生长的ZnO薄膜显示最好的结构和光学特性。此外,所生长n-ZnO/p-S i异质结的I-V特性曲线都表现明显的整流特性,且反向漏电流很小。在620℃生长的异质结的漏电流相对最大,大于在其它温度下生长的异质结的漏电流。

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来源
《人工晶体学报》 |2005年第6期|1137-1140|共4页
作者
张源涛; 崔勇国; 张宝林; 朱慧超; 李万成; 常遇春; 杨树人; 杜国同;
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作者单位

吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家重点实验室;

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正文语种 chi
中图分类薄膜物理学;
关键词
ZnO薄膜; Si衬底; PL谱; 异质结;

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