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深亚微米CMOS混合信号电路衬底噪声耦合宏模型

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摘要

提出了一种基于二维器件模拟的深亚微米工艺外延型衬底的电阻宏模型。该宏模型通过器件模拟与非线性拟合相结合的方法建立,使衬底寄生参数的提取更加方便,同时保障了深亚微米电路特性的模拟精度。此外,该宏模型结构简单,可以得到与器件模拟基本一致的模拟结果,并可以方便地嵌入SPICE中进行一定规模的电路模拟。

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来源
《微电子学与计算机》 |2006年第5期|128-131|共5页
作者
吴晓鹏; 杨银堂; 朱樟明;
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作者单位

西安电子科技大学微电子所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体集成电路（固体电路）;
关键词
衬底噪声; 数模混合电路; 电阻宏模型; CMOS;

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