硼源浓度对钛基掺硼金刚石薄膜生长的影响

王文君; 汪建华; 王均涛; 辛永磊; 熊礼威; 刘峰

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硼源浓度对钛基掺硼金刚石薄膜生长的影响

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利用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)在钛基底上制备了掺硼金刚石(BDD)薄膜。研究了硼源浓度对BDD薄膜生长的影响。分别采用扫描电子显微镜,拉曼光谱,X射线衍射技术对薄膜的表面形貌、残余应力、择优取向及TiC含量进行了分析。结果表明,硼源浓度升高对金刚石薄膜(111)织构生长有促进作用;随着掺硼浓度的增加,TiC含量和晶粒尺寸皆减小,同时薄膜的张应力增大,缓解薄膜自身在制备过程中形成的压应力,从而更大程度上提高薄膜附着力。

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来源
《表面技术》 |2011年第2期|58-61|共4页
作者
王文君; 汪建华; 王均涛; 辛永磊; 熊礼威; 刘峰;
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作者单位

武汉工程大学等离子体化学与新材料重点实验室;

中船重工725所海洋腐蚀与防护重点实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜技术;
关键词
硼浓度; 掺硼金刚石薄膜; 钛; 微波等离子体化学气相沉积;

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