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高迁移率GaAs本征外延层的MOCVD生长

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通过优化生长条件 ,利用EMCORED12 5MOCVD外延系统 ,制备了高迁移率的GaAs外延层 ,其迁移率在室温下达到了 8879cm2 /V·s,在 77K温度下超过了 130 0 0 0cm2 /V·s。结果表明。

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来源
《半导体光电》 |2002年第6期|412-414|共3页
作者
李建军; 廉鹏; 邓军; 韩军; 郭伟玲; 沈光地;
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作者单位

北京工业大学光电子技术实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.055;
关键词
MOCVD; GaAs; 迁移率;

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