连续性RESET/SET对相变存储器疲劳特性的影响

吴磊; 蔡道林; 陈一峰; 刘源广; 闫帅; 李阳; 余力; 谢礼; 宋志棠

首页> 中文期刊> 《上海交通大学学报》 >连续性RESET/SET对相变存储器疲劳特性的影响

连续性RESET/SET对相变存储器疲劳特性的影响

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

为探究连续性RESET操作和连续性SET操作对相变存储器疲劳特性的影响,基于4 Mbit相变存储器芯片进行了不同RESET-SET次数比的疲劳特性研究,给出了连续RESET和连续SET操作后相变单元阻值分布的变化情况.将RESET-only与SET-only模式下的疲劳特性与常规疲劳特性进行了对比分析,并对失效原因和修复方法进行了讨论;对比了8种不同RESET-SET次数比下的单元疲劳特性.实验结果表明:连续性RESET操作对相变存储器疲劳特性的影响很小,RESET-only模式下的相变存储器疲劳特性与常规疲劳特性处于同一量级;连续性SET操作会显著降低相变存储器的的疲劳特性,SET-only模式下相变存储器疲劳特性比常规疲劳特性低2个数量级;连续性RESET操作带来的失效无法逆转,而连续性SET操作带来的失效可以通过间隙性施加RESET操作得以修复.

著录项

来源
《上海交通大学学报》 |2021年第9期|1134-1141|共8页
作者
吴磊; 蔡道林; 陈一峰; 刘源广; 闫帅; 李阳; 余力; 谢礼; 宋志棠;
展开▼
作者单位

中国科学院上海微系统与信息技术研究所;

信息功能材料国家重点实验室;

纳米技术实验室;

上海200050;

中国科学院大学;

北京100049;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体三极管（晶体管）;场效应器件;
关键词
相变存储器; 连续性RESET操作; 连续性SET操作; 疲劳特性; 失效改善;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 基于Ge2Sb2Te5存储介质的相变存储器疲劳特性分析 [J] . 李莹 ,詹奕鹏 ,王蕾 . 电子与封装 . 2016,第008期
2. 材料热电特性对相变存储器功耗的影响 [J] . 周俊卿 ,程秀兰 ,张衍 . 功能材料与器件学报 . 2009,第6期
3. 应用于相变存储器的Cu-Ge3Sb2Te5薄膜的结构及相变特性研究∗ [J] . 孙景阳 ,王东明 ,吕业刚 . 物理学报 . 2015,第001期
4. Ge2Sb2Te5不同晶相对相变存储单元RESET电流影响 [J] . 王玉婵 ,康杰虎 ,王玉菡 . 电子元件与材料 . 2016,第001期
5. Cu对用于高速相变存储器的Sb2Te薄膜的结构及相变的影响研究∗ [J] . 王东明 ,吕业刚 ,宋三年 . 物理学报 . 2015,第015期
6. 高精度磁阻式罗盘及其SET/RESET电路设计 [C] . 宋宇宁 ,周兆英 . 第四届全国信息获取与处理学术会议 . 2006
7. 阻变存储器RESET机制温度依赖研究 [A] . 叶立 . 2012

连续性RESET/SET对相变存储器疲劳特性的影响

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅