基于Ge2Sb2Te5存储介质的相变存储器疲劳特性分析

李莹; 詹奕鹏; 王蕾

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基于Ge2Sb2Te5存储介质的相变存储器疲劳特性分析

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摘要

相变存储器由于操作电压低,读取速度快,制造工艺简单且与成熟CMOS工艺兼容,被认为最有可能替代Flash成为主流非易失性存储器.相变存储介质在存储中体积变化是影响器件可靠性的一个重要因素.研究了相变存储器在疲劳测试中的电性特征,利用高分辨率透射电子扫描电镜及傅里叶转换分析方法,研究相变存储器疲劳测试后相变介质的微观结构.若底部电极与相变介质的接触存在纳米量级不平整,那么接触表面将产生大电流密度,造成过操作,产生明显的体积收缩比.可以预测在多次的写擦操作后将导致相变介质形成空洞,与底部接触电极脱附.因此,控制底部接触电极与相变介质接触形貌对器件疲劳特性有着至关重要的影响.

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来源
《电子与封装》 |2016年第8期|41-4348|共4页
作者
李莹; 詹奕鹏; 王蕾;
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作者单位

中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,上海201203;

中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,上海201203;

中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,上海201203;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类可靠性及例行试验;
关键词
相变存储器; 疲劳特性; Ge2Sb2Te5; 晶体结构;

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