Gd_2O_3掺杂对BaTiO_3陶瓷电性能的影响

郝素娥; 韦永德; 况冲

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Gd_2O_3掺杂对BaTiO_3陶瓷电性能的影响

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采用溶胶-凝胶法制备了掺杂不同量Gd2O3(分别为0 001、0 002、0 003、0 005、0 007mol mol)的BaTiO3陶瓷,并对其电性能进行了研究。结果表明:Gd2O3掺杂使BaTiO3陶瓷的电阻率明显下降,当添加量为0 002mol mol时,电阻率最小,为1 27×105Ω·m;晶粒电阻随着温度的变化,呈现NTC效应,而晶界电阻随着温度的变化,呈现PTC效应,而且晶界电阻远远大于晶粒电阻,说明Gd2O3掺杂BaTiO3陶瓷的PTC效应是一种晶界效应;Gd2O3掺杂使BaTiO3陶瓷的介电常数和介电损耗在低频时明显增大,在高频时又明显降低。

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来源
《精细化工》 |2002年第12期|717-719|共3页
作者
郝素娥; 韦永德; 况冲;
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作者单位

哈尔滨工业大学应用化学系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TQ174.758;
关键词
BaTiO3; Gd2O3; 掺杂; 溶胶-凝胶法; 电性能; 钛酸钡陶瓷;

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