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CVD工艺SiCl_4蒸发量影响因素研究

         

摘要

本文研究了以氧气作为载气,20℃时SiCl4的蒸发量与载气量、液面高度、液面尺寸及料温波动的关系,分析了影响因素,得出了SiCl4蒸发量与这些因素之间的变化规律,为准确控制SiCl4流量提供了依据。

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