低温热处理温度对SiC衬底上CuAlO_(2)薄膜特性的影响

胡继超; 孟佳琦; 李丹; 贺小敏; 王曦; 许蓓; 蒲红斌

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为了解决双极型碳化硅(SiC)功率器件中由于p型SiC在室温下难以完全电离所导致的p+n发射结注入效率低的问题,提出将p型CuAlO_(2)与n型SiC形成的异质结作为发射结以提高该结的注入效率。本文利用溶胶凝胶(sol-gel)方法,在4H-SiC衬底上制备了CuAlO_(2)薄膜,研究了低温热处理温度对CuAlO_(2)薄膜晶体结构、表面形貌、光学特性的影响。结果表明:较高的热处理温度可以促进中间产物CuO的生成,进而在固相反应阶段促进CuAlO_(2)相的产生,最终制备的CuAlO_(2)薄膜主要以CuAlO_(2)相的(012)晶向择优取向。随着低温热处理温度的升高,薄膜的表面均匀致密,空位缺陷含量降低,结晶质量提高。当低温热处理温度为300℃时,CuAlO_(2)薄膜晶粒尺寸约为35 nm。此外,CuAlO_(2)薄膜在可见光范围内的透过率超过70%,且随着预处理温度升高,薄膜光学带隙略有增加。

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来源
《人工晶体学报》 |2021年第9期|1662-1667|共6页
作者
胡继超; 孟佳琦; 李丹; 贺小敏; 王曦; 许蓓; 蒲红斌;
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作者单位

西安理工大学电子工程系;

西安710048;

西安市电力电子器件与高效电能变换重点实验室;

西安710048;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类特种结构材料;
关键词
SiC; 溶胶凝胶法; CuAlO_(2)薄膜; 低温热处理; 光学带隙;

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