衬底温度对不锈钢衬底上制备a-Si∶H薄膜特性的影响

杨恢东; 雷飞; 李姗; 王河深

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非晶硅薄膜太阳电池因为光致衰退效应而影响了其使用和推广的范围,而通过甚高频等离子体化学气相沉积(VHF-PECVD)法制备的氢化非晶硅薄膜(a-Si∶H)可以在一定程度上改善光致衰退(SW)效应对电池效率的影响。不锈钢衬底具有可卷曲、耐高温、延展性好等优点。本文重点讨论了在不锈钢衬底上的非晶硅薄膜的生长速率、表面形貌、结构成分、光学带隙及光敏性等方面的影响,分析了影响的原因并找出最优制备条件。实验结果表明:在220~300℃的范围内,随着衬底温度的增加,薄膜的生长速率先增加后减小,薄膜的非晶化程度逐渐降低。合适的衬底温度应控制在220~240℃的范围,此时可以获得1.84eV左右的光学带隙和103量级的光敏性。

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来源
《固体电子学研究与进展》 |2015年第5期|497-501|共5页
作者
杨恢东; 雷飞; 李姗; 王河深;
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作者单位

暨南大学信息与科学技术学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TM914.42;
关键词
甚高频等离子体化学气相沉积; a-SiH; 衬底温度;

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