首页> 中文期刊> 《微电子学与计算机》 >离子注入后快速退火晶格恢复的研究

离子注入后快速退火晶格恢复的研究

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

80keV As^+注入Si其剂量达5×10^(15)cm^(-2)时,用透射电子显微镜观察到,在硅中形成1000A的非晶层,在非晶层的下面分布着位错环。还研究了瞬态退火和热退火过程中非晶层的相变和缺陷的演变过程,从而得到了最佳退火条件。并用扩展电阻仪测量了砷杂质的电激活过程。

著录项

来源
《微电子学与计算机》 |1989年第3期|42-44|共3页
作者
张通和; 吴瑜光; 罗晏; 李晓明;
展开▼
作者单位

北京师范大学低能核物理研究所;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN470.53;
关键词
离子注入; 晶格恢复; 退火; VLSI; 浅结;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 离子注入退火晶格恢复和电激活动力学研究 [J] . 张通和 ,吴瑜光 ,罗晏 . 北京师范大学学报：自然科学版 . 1988,第3期
2. 砷离子注入硅的快速热退火对晶格应力和PN结… [J] . 张通和 ,赵寿南 . 自然科学进展：国家重点实验室通讯 . 1993,第004期
3. 离子注入硅片快速退火后的红外椭偏光谱研究 [J] . 刘显明 ,李斌成 ,高卫东 . 物理学报 . 2010,第003期
4. GeSi/Si应变超晶格退火及离子注入研究 [J] . 肖剑飞 ,封松林 ,彭长四 . 红外与毫米波学报 . 1997,第005期
5. 单晶硅中离子注入及快速热退火后浓度分布模型 [J] . 周会 ,郭慧民 ,田强 . 北京师范大学学报：自然科学版 . 2003,第3期
6. 快速退火对InGaAs/GaAs量子点超晶格的影响 [C] . 庄乾东 ,李晋闽 ,曾一平 . 第五届全国分子束外延学术会议 . 1999
7. Si离子注入后B在退火过程中析出模型的研究 [A] . 励晔 . 2005

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号