低能离子束辅照对溅射镀TiN膜生长的影响

李铸国; 华学明; 吴毅雄; 三宅正司

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低能离子束辅照对溅射镀TiN膜生长的影响

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用诱导型等离子体辅助磁控溅射装置在Si(100)表面低温沉积TiN膜,研究了高密度低能量(≈20eV)离子束辅照对溅射镀TiN膜生长、结构和性能的影响.结果表明,高密度低能离子束辅照会改变TiN膜的择优生长方向并使薄膜致密化.即使沉积温度低于150℃,当入射基板离子数和Ti原子数的比值J-i/J_(Ti)≥4.7时,沉积的TiN膜仍可具有完全的(200)面择优生长,薄膜微观结构致密,硬度达到25GPa,残余压应力小.

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来源
《金属学报》 |2005年第10期|1087-1090|共4页
作者
李铸国; 华学明; 吴毅雄; 三宅正司;
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作者单位

上海交通大学材料科学与工程学院;

近畿大学;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类特种结构材料;
关键词
TiN薄膜; 物理气相沉积(PVD); 择优取向; 离子照射;

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