沉积温度和生长停顿对离子束溅射生长Ge/Si多层膜的影响

杨杰; 王茺; 欧阳焜; 陶东平; 杨宇

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沉积温度和生长停顿对离子束溅射生长Ge/Si多层膜的影响

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采用离子束溅射技术生长了一系列Ge/Si多层膜,研究了沉积温度和生长停顿对Ge/Si多层膜结晶性和界面结构的影响。通过对Raman峰峰位、峰强度比值和X射线小角衍射等方面的研究,发现综合控制沉积温度和生长停顿能够得到结晶性和界面都相对理想的多层膜。这为改善Ge/Si多层膜的离子束溅射生长提供了一种有效的方法。

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来源
《人工晶体学报》 |2010年第4期|945-950|共6页
作者
杨杰; 王茺; 欧阳焜; 陶东平; 杨宇;
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作者单位

昆明理工大学冶金与能源工程学院;

云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所;

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正文语种 chi
中图分类薄膜物理学;
关键词
离子束溅射; Ge/Si多层膜; 沉积温度; 生长停顿;

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