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IGBT特性的辐照效应

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摘要

本文简述了中子辐照对IGBT特性的影响，给出了器件在中子辐射注量高达10（13）n／cm2时的实验结果。实现发现，随着中子注量的增加，开关时间缩短，阀值电压漂移。对于所研究的注量范围，所观察的效应是由于IGBT少子寿命减少造成的，而不是由于有效掺杂浓度变化所致。

著录项

来源
《微电子学与计算机》 |1997年第4期|14-16|共3页
作者
袁寿财; 刘树林;
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作者单位

西安电力电子技术研究所;

西安建筑科技大学自控系;

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正文语种 chi
中图分类 TN322.8;
关键词
IGBT; 辐照; 阈值; 双极晶体管;

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