ZnO压电薄膜的制备与性能表征

许恒星; 王金良; 唐宁; 彭洪勇; 范超

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采用射频磁控溅射法在硅(100)衬底上制备高质量的ZnO压电薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、压电响应力显微镜(PFM)等仪器研究了薄膜成分,表面形貌和压电性质。结果表明:实验制备的ZnO薄膜具有很好的压电性质,c轴取向和表面粗糙度对薄膜压电特性有很大影响,高度c轴取向生长和表面粗糙度较小的ZnO薄膜表现出更好的压电性质。

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来源
《人工晶体学报》 |2009年第4期|880-883|共4页
作者
许恒星; 王金良; 唐宁; 彭洪勇; 范超;
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作者单位

北京航空航天大学物理科学与核能工程学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜物理学;
关键词
ZnO薄膜; 射频磁控溅射; 压电性质; 表面粗糙度;

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