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Ge/Si量子点的生长研究进展

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摘要

要有效应用SK模式生长的Ge量子点,必须实现Ge量子点的位置可控并且进一步缩小Ge量子点的尺寸。阐释了这方面的研究进展,特别对图形衬底生长Ge量子点,利用Si表面的自组织性在错切割的邻晶面衬底上生长有序Ge岛,表面杂质诱导成岛这三个方面的进展加以介绍分析。

著录项

来源
《半导体光电》 |2004年第4期|247-252|共6页
作者
时文华; 李传波; 王启明;
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作者单位

中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室;

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正文语种 chi
中图分类 TN304.054;
关键词
锗硅; 量子点; 图形衬底; 邻晶面; 杂质;

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