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首页> 外文会议>IEEE Conference on Nanotechnology >Investigation of the optical and structural characteristics of Ge self-assembled quantum dots grown directly on Si substrates and on strain relaxed Si_(0.9)Ge_(0.1) buffer layers
【24h】

Investigation of the optical and structural characteristics of Ge self-assembled quantum dots grown directly on Si substrates and on strain relaxed Si_(0.9)Ge_(0.1) buffer layers

机译：直接在Si基板上生长的GE自组装量子点的光学和结构特性以及应变松弛Si_（0.9）Ge_（0.1）缓冲层的光学和结构特征

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The optical and structural properties of Ge quantum dots (QDs) of varying size grown on Si substrates with and without a partially relaxed Si_(0.9)Ge_(0.1) buffer layer, were investigated by means of photoluminescence and atomic force microscopy. A random, bimodal QD size distribution was observed for Ge QDs directly grown on Si substrates5 while a well-aligned, unimodal size QD distribution was observed for Ge QDs with the Sio.9Geo.i buffer layer. Quantum confinement effects with dot size variation were evident from PL studies. A blue shift of the Ge QD emission energy with increasing excitation power is ascribed to the band bending at the type-II Si/Ge Interface.
机译：通过光致发光和原子力显微镜研究，在Si衬底上生长的变化大小的Ge量子点（QDS）的光学和结构性能，并通过光致发光和原子力显微镜研究。曲线化学性，研究了与部分松弛的Si_（0.1）缓冲层。对于直接在Si底物上生长的Ge QD，观察到随机的双峰QD尺寸分布，同时观察到具有SiO.9Geo.i缓冲层的Ge QDS的良好对准的单峰尺寸QD分布。从PL研究中，具有点大小变异的量子限制效应。 GE QD发射能量随着激励力的增加，归因于II型SI / GE接口处的带弯曲。

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