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郭维廉;
天津工业大学信息与通讯工程学院;
天津大学电子信息工程学院;
天津300072;
共振隧穿器件; 工作原理; 参数; 设计;
机译:共振隧穿器件:利用量子效应的新器件
机译:2D-2D InGaAs / GaAs共振隧穿器件中共振准能级寿命的GaAs衬底取向依赖性
机译:氮化铟镓p-n器件的湿度传感和共振隧穿特性
机译:金属-绝缘体-绝缘体-半导体器件中的室温共振隧穿
机译:通过共振隧穿和声子发射直接创建量子阱激子和微腔激子极化子:基础物理学和器件应用。
机译:二维MS-EMC纳米器件模拟器中S / D隧穿模型的量子增强:NEGF比较和有效质量变化的影响
机译:插入GaAs-AlGaAs共振隧穿器件中的InGaAs自组装量子环中载流子的自旋极化
机译:少数电子侧向共振隧穿半导体器件。合同号N00014-89-C-0091。
机译:热电子器件和共振隧穿热电子器件
机译:采用共振隧穿的磁性隧道结存储器件及其制造方法
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