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共振隧穿二极管的材料结构设计——共振隧穿器件讲座(5)

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摘要

在系统细致分析RTD材料结构参数与器件特性参数关系的基础上,确立了RTD材料结构的设计原则和设计方法,并对以SI-GaAs为衬底的RTD分子束外延(MBE)材料生长结构进行了设计。所研制出的RTD参数实测结果证实了此设计方法是正确的。

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来源
《微纳电子技术》 |2006年第8期|361-365|共6页
作者
郭维廉;
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作者单位

天津工业大学信息与通讯工程学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体二极管;
关键词
共振隧穿二极管; 材料结构设计; 分子束外延;

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