通孔结构Si衬底AlGaN/GaN HFET的热特性模拟

文于华; 范冰丰; 骆思伟; 王钢; 刘扬

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使用有限元软件ANSYS,对通孔结构Si衬底Al GaN/GaN HFET进行了热特性模拟。首先,根据器件结构建立了以栅极为热源的分析模型。然后,通过改变衬底材料、衬底厚度、栅间距以及通孔深度,分别研究了两栅指结构HFET的峰值温度和热阻。最后,对由两栅指结构扩展得到的多栅指结构HFET进行了模拟。结果表明,衬底材料、衬底厚度、栅间距和通孔深度对器件的热特性均有明显的影响,选择合适的参数有利于改善器件的性能;当栅指数目增加时,器件的峰值温度增大,散热趋向于困难。

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来源
《半导体技术》 |2008年第s1期|112-115|共4页
作者
文于华; 范冰丰; 骆思伟; 王钢; 刘扬;
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作者单位

中山大学光电材料与技术国家重点实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应器件;
关键词
铝镓氮/氮化镓; 异质结场效应管; ANSYS; 通孔结构;

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