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Si基AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管转移至柔性衬底的方法

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本发明属于半导体技术领域，具体为一种Si基AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管转移至柔性衬底方法。本发明方法包括，采用化学机械抛光、干法或湿法刻蚀结合的方式，实现非柔性Si衬底的剥离；并利用器件键合技术，通过Norland等粘附材料中间层将去除衬底的高电子迁移率晶体管器件转移至柔性衬底上，实现柔性AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件制备。该方法刻蚀速度快，工艺成本低，且适用范围广，包括但不限于基于Si衬底、蓝宝石衬底等硬质衬底半导体器件。

著录项

公开/公告号CN110148561A

专利类型发明专利
公开/公告日2019-08-20

原文格式PDF
申请/专利权人复旦大学;
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申请/专利号CN201910306510.4
发明设计人田朋飞;赵德胜;林润泽;刘冉;郑立荣;
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申请日2019-04-17
分类号
代理机构上海正旦专利代理有限公司;
代理人陆飞
地址 200433 上海市杨浦区邯郸路220号
入库时间 2024-02-19 13:03:53

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-09-13

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/335 申请日:20190417

实质审查的生效
2019-08-20

公开

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