半导体所研制出GaN基紫外激光器

机译：宽带隙半导体基表面发射激光器：基于GaN的垂直腔表面发射激光器和基于GaN / ZnO的极化子激光器的最新进展

机译：具有半绿色{10-11} In 0.3 Ga 0.7 N / GaN多量子阱的高效绿色发射的大面积紫外GaN基光子准晶体激光器

机译：具有半极性{10-11} In_（0.3）Ga_（0.7）N / GaN多量子阱的高效绿色发射的大面积紫外GaN基光子准晶体激光器

机译：基于Pendeo生长的GaN的具有第三表面光栅的横向耦合分布反馈GaN基半导体激光器的设计与制造

机译：基于（Al，Ga）N / GaN半导体异质结构的深紫外线发射器

机译：GaN / AlGaN /溅射AlN成核层对GaN基紫外发光二极管性能的影响

机译：GaN基紫外激光器波长相关性能变化分析

机译：紫外/紫外半导体注入激光器使用GaN基材料

机译：GaN基半导体激光器的制造方法和GaN基半导体激光器

机译：GaN半导体激光器的制造方法，GaN基半导体激光器

机译：GaN基半导体激光器件的制造方法及其所用的半导体衬底