InP(001)基衬底上自组织生长InAs量子点(线)的光学性质研究

武光明; 朱江; 李月法; 贾锐

首页> 中文期刊> 《材料研究学报》 >InP(001)基衬底上自组织生长InAs量子点(线)的光学性质研究

InP(001)基衬底上自组织生长InAs量子点(线)的光学性质研究

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

在InP(001)基衬底上用分子束外延方法生长InAs纳米结构材料,通过衬底的旋转与否及混合生长模式,得到了两种InAs量子点和量子线,并研究了量子点、线的光学性质。结果表明,两种方式都可生长出较强发光的量子点(线);由量子点排列构成的量子线的光致发光光谱呈现出多峰结构,分析和理论计算表明这是InAs量子线上各量子点在垂直方向上不同高度分布和非连续性而造成的。

著录项

来源
《材料研究学报》 |2003年第6期|566-570|共5页
作者
武光明; 朱江; 李月法; 贾锐;
展开▼
作者单位

北京石油化工学院数理部;

北京石油化工学院;

中国科学院半导体研究所;

中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类特种结构材料;固体性质;
关键词
材料科学基础学科; InAs自组织量子点(线); 光致发光光谱; 浸润层;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. GaAs（100）衬底上自组织生长InAs量子点的研究 [J] . 杨小平 ,张伟 ,陈宗圭 . 半导体学报：英文版 . 1996,第11期
2. InP(001)衬底上的InAs量子线(英文) [J] . 吴巨 ,王占国 . 半导体学报：英文版 . 2006,第2期
3. GaAs(311)A衬底上自组装InAs量子点的结构和光学特性 [J] . 姜卫红 ,许怀哲 ,龚谦 . 物理学报 . 1999,第008期
4. 在InP衬底上生长InAs量子点 [J] . 一凡 . 电子材料快报 . 2000,第001期
5. InP衬底上LP-MOCVD生长InAs自组装量子点 [J] . 王本忠 . 吉林大学学报（理学版） . 1997,第002期
6. GaAs(100)衬底上自组织生长InAs量子点的研究 [C] . 田金法 . 第五届全国固体薄膜学术会议 . 1996
7. InAs/GaAs自组织量子点分子纳米材料光学性质研究 [A] . 刘瑶 . 2017

InP(001)基衬底上自组织生长InAs量子点(线)的光学性质研究

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅