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窄禁带半导体等离子体反射边的研究

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摘要

窄禁带和一些零禁带半导体的能带结构可以用Kane模型很好地描写。为观察等离子体振荡,电子浓度必须足够高,此时E_f附近的能带呈线性,从而导致等离子体振荡和单个载流子激发之间能量耦合的消失。由于较强的等离子体振荡,在其反射谱上出现较陡的等离子体反射边以及反射边底部较尖锐的反射极小值。

著录项

来源
《量子电子学报》 |1992年第1期|4-5|共2页
作者
钱定榕; 俞兵;
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作者单位

中国科学院红外物理国家实验室;

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正文语种 chi
中图分类 TN201-55;
关键词
体等离子体; 等离子体振荡; 载流子弛豫时间; 射束强度; 反射谱; 禁带半导体; 电子浓度; Kane模型; 能带结构; 极小值;

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