窄禁带半导体n-InAs THz辐射机理的Monte Carlo研究

刘东峰

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窄禁带半导体n-InAs THz辐射机理的Monte Carlo研究

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本文采用系综Monte Carlo方法模拟了窄禁带n-InAs和宽禁带n-GaAs的THz时域波形,从理论上证实了n-InAs的THz辐射机制是光丹培场的作用.通过定量给出表面电场和光丹培场在半导体中的空间分布,我们发现导致n-InAs的THz辐射效率比n-GaAs高的一个重要原因是:在被大多数光生载流子占居的非耗尽层区域,n-InAs的电场比n-GaAs的大得多.而以前的研究工作都没有认识到这一点.

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来源
《电子学报》 |2007年第8期|1458-1461|共4页
作者
刘东峰;
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作者单位

广东工业大学信息工程学院电子信息系,广东广州,510006;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应器件;
关键词
n-InAs; n-GaAs; THz辐射; Monte Carlo模拟;

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