利用发射电子法经由热灯丝CVD在Si(100)上合成局域异质外延金刚石膜

廖克俊; 王万录

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本文利用发射电子法经由热灯丝ＣＶＤ在Ｓｉ（１００）上获得了局域异质外延金刚石膜。由Ｒａｍａｎ背散射强度（在１３３２ｃｍ－１处）旋转角依赖关系表明，金刚石膜与Ｓｉ（１００）的定向关系为ｄｉａ（１００）∥Ｓｉ（１００）和ｄｉａ〔１１０〕∥Ｓｉ〔１１０〕。在金刚石膜的成核阶段，位于衬底和灯丝之间的电极相对于灯丝施加一负偏压，获得的金刚石膜用扫描电镜和Ｒａｍａｎ谱表征。对实验结果进行了简要的讨论。

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来源
《人工晶体学报》 |1998年第2期|137-140|共4页
作者
廖克俊; 王万录;
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作者单位

重庆大学应用物理系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜的生长、结构和外延;
关键词
金刚石膜; 热灯丝CVD; 发射电子; 成核; 薄膜;

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