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CMOS IC输入保护与抗闭锁设计

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摘要

本文论证了CMOS IC输入保护电路抗静电耐压大多小于2000伏的重要原因在于多晶硅保护电阻烧毁。并提出新的保护电阻设计方法及综合考虑CMOS IC抗静电与抗闭锁的内在联系,从而得到了优异抗静电与抗闭锁性能的设计实践经验,绘出了在HCMOS 74HC/HCT系列产品设计中的应用结果。

著录项

来源
《微电子学与计算机》 |1989年第8期|16-19|共4页
作者
潘福美;
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作者单位

骊山微电子学研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应型;
关键词
CMOS; 集成电路; 输入设计; 抗闭锁;

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