一种深亚微米MOSFET高频噪声模型

吕志强; 来逢昌; 叶以正

首页> 中文期刊> 《半导体技术》 >一种深亚微米MOSFET高频噪声模型

一种深亚微米MOSFET高频噪声模型

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

基于深亚微米MOSFET的短沟道效应(迁移率退化、热载流子效应、体电荷效应、沟道长度调制效应等),提出了一种高频沟道噪声分析模型。该分析模型不仅具有较高的精确性,而且只包括MOSFET的工艺参数和电学参数,不含有微积分和拟合参数,较大地提高了MOSFET高频噪声模型的易用性。根据MOSFET的高频等效电路,得出了MOSFET的噪声系数模型。实验结果证明,提出的深亚微米MOSFET高频噪声模型的仿真结果与测试结果的平均误差不到0.4 dB,并与其他高频沟道噪声分析模型进行了比较。

著录项

来源
《半导体技术》 |2007年第8期|669-672|共5页
作者
吕志强; 来逢昌; 叶以正;
展开▼
作者单位

哈尔滨工业大学微电子中心;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
关键词
MOSFET; 沟道热噪声; 功率谱密度; 噪声系数;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 一种改进的深亚微米MOSFET噪声模型 [J] . 钭飒飒 ,高建军 . 电子科技 . 2015,第005期
2. 亚微米、深亚微米LDD MOSFET的衬底电流模型中特征长度改进的描述(英文) [J] . 于春利 ,杨林安 ,郝跃 . 半导体学报：英文版 . 2004,第9期
3. 超深亚微米工艺下模拟IC仿真的MOSFET模型 [J] . 段成华 ,柳美莲 . 微纳电子技术 . 2006,第4期
4. 深亚微米MOSFET阈值电压模型 [J] . 李艳萍 ,徐静平 ,陈卫兵 . 微电子学 . 2005,第1期
5. 人工神经网络在解深亚微米MOSFETs反型层量子效应模型中的应用(英文) [J] . 林榕 ,周欣 ,刘伯安 . 半导体学报：英文版 . 2003,第7期
6. 深亚微米SOI MOSFET单粒子效应模型 [C] . 林子壬 ,孙岩 ,李鹏 . 第十七届计算机工程与工艺年会暨第三届微处理器技术论坛 . 2013
7. 超深亚微米LDD MOSFET器件模型及热载流子可靠性研究 [A] . 于春利 . 2005

一种深亚微米MOSFET高频噪声模型

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅