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于春利; 杨林安; 郝跃;
西安电子科技大学微电子研究所;
轻掺杂漏MOSFET; 衬底电流; 特征长度; 最大横向电场;
机译:具有新的击穿电流模型和漏-衬底非线性耦合的改进型深亚微米MOSFET RF非线性模型
机译:亚微米和深亚微米MOSFET的分析漏电流模型
机译:深亚微米LDD MOSFET寄生电容的简单有效模型
机译:具有新的击穿电流模型和漏极至衬底的非线性耦合的改进型深亚微米MOSFET RF非线性模型
机译:由于亚微米MOSFET器件的热载流子效应而导致的衬底电流模型。
机译:微米至亚微米特征尺寸的地形图钛和硅衬底上内皮细胞的比较响应
机译:深亚微米MOSFET的漏电流模型,包括电子速度过冲
机译:亚微米沟道长度硅mOsFET的微波操作
机译:用于深亚微米MOSFET的非对称LDD结构的制造方法
机译:深度增强CoSi2形成形成深亚微米MOSFET中硅结的CoSi2深MOSFET MOSFET。
机译:用于制造亚微米结构的方法以及该方法在半导体本体中制造具有亚微米宽度的深电介质隔离区中的用途
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