超深亚微米LDD nMOSFET中的非幸运电子模型效应

杨林安; 于春利; 郝跃

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超深亚微米LDD nMOSFET中的非幸运电子模型效应

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通过对采用0.18μmCMOS工艺制造的两组不同沟道长度和栅氧厚度的LDD器件电应力退化实验发现,短沟薄栅氧LDDnMOSFET(Lg=0.18μm,Tox=3.2nm)在沟道热载流子(CHC)应力下的器件寿命比在漏雪崩热载流子(DAHC)应力下的器件寿命要短,这与通常认为的DAHC应力(最大衬底电流应力)下器件退化最严重的理论不一致.因此,这种热载流子应力导致的器件退化机理不能用幸运电子模型(LEM)的框架理论来解释.认为这种“非幸运电子模型效应”是由于最大碰撞电离区附近具有高能量的沟道热电子,在Si SiO2界面产生界面陷阱(界面态)的区域,由Si SiO2界面的栅和漏的重叠区移至沟道与LDD区的交界处以及更趋于沟道界面的运动引起的.

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来源
《半导体学报》 |2005年第7期|1390-1395|共6页
作者
杨林安; 于春利; 郝跃;
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作者单位

西安电子科技大学微电子所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应器件;
关键词
LDD; nMOSFET; 热载流子退化; 沟道热载流子应力; 漏雪崩热载流子应力; 幸运电子模型;

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